[發明專利]低噪聲平面磁傳感器

在審

• 申請號: 201711078432.4
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN107907145A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 文玉梅;李平;卞雷祥
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G01D5/20
• 分類號: G01D5/20
• 代理公司: 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司31227
• 代理人: 李慶

1.一種低噪聲平面磁傳感器，其特征在于，包括一襯底、一平面線圈和至少一減噪結構；所述減噪結構和所述平面線圈固定于所述襯底，且所述減噪結構與所述平面線圈部分貼合固定；所述減噪結構包括至少一第一導磁材料層和至少一第一絕緣層，所述第一導磁材料層形成渦流抑制結構，所述第一導磁材料層、所述第一絕緣層和所述平面線圈依次層疊布設。

2.根據權利要求1所述的低噪聲平面磁傳感器，其特征在于，所述平面線圈呈矩形。

3.根據權利要求2所述的低噪聲平面磁傳感器，其特征在于，所述渦流抑制結構包括多個縫隙；所述縫隙的長度方向與所述平面線圈對應該縫隙處流經的電流方向相交。

4.根據權利要求3所述的低噪聲平面磁傳感器，其特征在于，所述渦流抑制結構包括多個長度方向與一預設方向平行的縫隙；所述縫隙的寬度小于所述第一導磁材料層的厚度。

5.根據權利要求2所述的低噪聲平面磁傳感器，其特征在于，所述渦流抑制結構包括格柵，所述格柵縫隙的寬度小于所述第一導磁材料層的厚度。

6.根據權利要求1～5任一項所述的低噪聲平面磁傳感器，其特征在于，所述減噪結構包括兩所述第一導磁材料層和兩所述第一絕緣層，兩所述第一導磁材料層分別對置于所述平面線圈的兩面；所述第一導磁材料層和所述平面線圈之間設置有所述第一絕緣層。

7.根據權利要求6所述的低噪聲平面磁傳感器，其特征在于，所述減噪結構還包括至少一第二導磁材料層和至少一第二絕緣層，所述第二導磁材料層、所述第二絕緣層、所述第一導磁材料層、所述第一絕緣層和所述平面線圈依次層疊布設。

8.根據權利要求7所述的低噪聲平面磁傳感器，其特征在于，所述第一導磁材料層和所述第二導磁材料層的材質包括：FeNi合金、硅鋼、FeCo合金、鐵磁非晶或鐵磁納米晶。

9.根據權利要求8所述的低噪聲平面磁傳感器，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的材質采用氮化硅或二氧化硅。

10.根據權利要求9所述的低噪聲平面磁傳感器，其特征在于，所述襯底的材質采用氮化硅。