[發明專利]半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201711078222.5 | 申請日： | 2017-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN108447839B | 公開（公告）日： | 2020-01-10 |
| 發明（設計）人： | 林柏均;朱金龍 | 申請（專利權）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 72003 隆天知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李昕巍;章侃銥 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接合 半導體裝置 半導體元件 融熔 熱膨脹系數 介電部 傳導 高熱膨脹系數 熱處理 電性功能 膨脹空間 體積膨脹 凹部 制程 制造 容納 | ||
1.一種半導體裝置的制造方法，包括：
形成一第一半導體元件，具有一第一傳導部、與該第一傳導部相鄰的一第一介電部、以及位于該第一傳導部的一上表面上方的一凹部；
形成一第二半導體元件，具有一第二傳導部以及與該第二傳導部相鄰的一第二介電部；
配置該第一半導體元件與該第二半導體元件，使得該第一傳導部面對該第二傳導部；以及
膨脹該第一傳導部與該第二傳導部至少其中之一，以填充該凹部；
其中形成該第一半導體元件包括：
形成一第一介電層于一半導體基板上方；
形成一開口于該第一介電層中；和
形成該第一傳導部于該開口中；
其中形成該第一傳導部于該開口中包括：
形成一傳導層于該第一介電層上方并且填充該開口；
進行一平坦化制程，以自該第一介電層的一上表面移除該傳導層的一部分；
形成一遮罩，覆蓋該開口中的該傳導層；
形成一第二介電層于該第一介電層上方并且覆蓋該遮罩；
進行一第二平坦化制程，以移除該第二介電層的一部分并且暴露該遮罩；和
移除該遮罩以形成一凹部。
2.如權利要求1所述的制造方法，其中該第一傳導部的一熱膨脹系數大于該第一介電部的一熱膨脹系數，以及膨脹該第一傳導部與該第二傳導部至少其中之一包括進行一熱處理制程，以膨脹該第一傳導部的一厚度大于該第一介電部的一厚度。
3.如權利要求2所述的制造方法，其中在一第一溫度，形成具有該凹部的該第一傳導部，以及該熱處理制程加熱該第一傳導部與該第二傳導部至少其中之一至一第二溫度，該第二溫度高于該第一溫度。
4.如權利要求1所述的制造方法，其中該凹部分離該第一傳導部與該第二傳導部，以及該第一介電部接觸該第二介電部。
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