[發(fā)明專利]平面化高Q值可調(diào)靜磁波諧振器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711078137.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107919517B | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊青慧;馬博;金立川;郝俊祥;洪彩云;饒毅恒;吳玉娟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01P7/08 | 分類號(hào): | H01P7/08 |
| 代理公司: | 北京酷愛智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11514 | 代理人: | 安娜 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 平面化 可調(diào) 靜磁波 諧振器 | ||
1.一種平面化高Q值可調(diào)靜磁波諧振器,包括本體及外置磁場,其特征在于,所述本體包括輸入微帶線換能器、輸出微帶線換能器、釔鐵石榴石薄膜、釓鎵石榴石基片以及接地電極,所述輸入微帶線換能器及輸出微帶線換能器設(shè)置于所述釔鐵石榴石薄膜上,所述釔鐵石榴石薄膜覆蓋于所述釓鎵石榴石基片的正面,所述接地電極設(shè)置于所述釓鎵石榴石基片的背面,所述外置磁場設(shè)置于所述本體一側(cè)且垂直于所述釔鐵石榴石薄膜所在的平面;
所述輸入微帶線換能器以及輸出微帶線換能器均包括第一微帶線、第二微帶線以及第三微帶線,所述第一微帶線的末端沿第一方向延伸形成所述第二微帶線,所述第一方向平行于所述釓鎵石榴石基片的橫向,所述第二微帶線的末端沿第二方向形成所述第三微帶線,所述第二方向平行于所述釓鎵石榴石基片的縱向;
所述輸入微帶線換能器以所述釓鎵石榴石基片的幾何中心旋轉(zhuǎn)180度后與所述輸出微帶線換能器重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的平面化高Q值可調(diào)靜磁波諧振器,其特征在于,所述輸入微帶線換能器以及輸出微帶線換能器包括濺射光刻于所述釔鐵石榴石薄膜上的微帶線線路,且所述輸入微帶線換能器用于輸入RF信號(hào),所述輸出微帶線換能器用于輸出RF信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的平面化高Q值可調(diào)靜磁波諧振器,其特征在于,所述第一微帶線的長度L1為1±0.1毫米、寬度W1為0.9±0.1毫米,所述第二微帶線的長度L2為3.88±0.1毫米、寬度W2為0.18±0.1毫米,所述第三微帶線的長度L3為0.64±0.1毫米、寬度W3為0.18±0.1毫米。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的平面化高Q值可調(diào)靜磁波諧振器,其特征在于,所述釓鎵石榴石基片的橫截面呈矩形,厚度為0.5±0.01毫米。
5.如權(quán)利要求4所述的平面化高Q值可調(diào)靜磁波諧振器,其特征在于,所述釔鐵石榴石薄膜為通過液相外延技術(shù)覆蓋于所述釓鎵石榴石基片上的薄膜。
6.如權(quán)利要求5所述的平面化高Q值可調(diào)靜磁波諧振器,其特征在于,所述釔鐵石榴石薄膜的橫截面呈矩形,厚度為2微米,且所述釔鐵石榴石薄膜的飽和磁化強(qiáng)度為1750Gs。
7.如權(quán)利要求6所述的平面化高Q值可調(diào)靜磁波諧振器,其特征在于,所述接地電極為濺射于所述釓鎵石榴石基片背面的金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的平面化高Q值可調(diào)靜磁波諧振器,其特征在于,所述輸入微帶線換能器、輸出微帶線換能器以及接地電極的材料包括金。
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