[發明專利]電子裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201711077755.1
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN108336220A
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 金國天;鄭求烈;金亮坤;李哉衡;林鐘久
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L43/02
• 分類號: H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;G11C11/16
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種電子裝置，其包括半導體存儲器，其中所述半導體存儲器包括：

磁隧道結MTJ結構，其包括具有可變磁化方向的自由層、具有固定磁化方向的釘扎層和介于自由層與釘扎層之間的隧道阻擋層；以及

底層，其形成在MTJ結構之下，

其中，底層包括金屬和金屬氧化物。

2.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，底層包括金屬氮化物。

3.根據權利要求2所述的電子裝置，其中，底層包括TaN、AlN、SiN、TiN、VN、CrN、GaN、GeN、ZrN、NbN、MoN或HfN，或者它們的組合。

4.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，半導體存儲器還包括緩沖層，所述緩沖層與底層接觸并且操作為促進底層的晶體生長。

5.根據權利要求4所述的電子裝置，其中，緩沖層包括：金屬、金屬合金、金屬氮化物或金屬氧化物，或者它們的組合。

6.根據權利要求5所述的電子裝置，其中，底層還包括從緩沖層擴散的金屬的氧化物。

7.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，半導體存儲器還包括在自由層與底層之間的金屬氧化物層。

8.根據權利要求7所述的電子裝置，其中，金屬氧化物層具有等于或者小于三個單層的厚度。

9.根據權利要求1所述的電子設備，還包括微處理器，所述微處理器包括：

控制單元，其被配置為從微處理器的外部接收包括命令的信號，并且執行命令的提取、解碼或者控制微處理器的信號的輸入或輸出；

運算單元，其被配置為基于控制單元對命令進行解碼的結果來執行運算；以及

存儲單元，其被配置為儲存用于執行運算的數據、與執行運算的結果相對應的數據或者運算被執行的數據的地址，

其中，半導體存儲器是微處理器中的存儲單元的一部分。

10.根據權利要求1所述的電子裝置，還包括處理器，所述處理器包括：

核心單元，其被配置為基于從處理器的外部輸入的命令，通過利用數據來執行與命令相對應的運算；

高速緩沖存儲單元，其被配置為儲存用于執行運算的數據、與執行運算的結果相對應的數據或者運算被執行的數據的地址；以及

總線接口，其連接在核心單元與高速緩沖存儲單元之間，并且被配置為在核心單元與高速緩沖存儲單元之間傳輸數據，

其中，半導體存儲器是處理器中的高速緩沖存儲單元的一部分。

11.根據權利要求1所述的電子裝置，還包括處理系統，所述處理系統包括：

處理器，其被配置為對由處理器接收的命令進行解碼，并且基于對命令進行解碼的結果來控制對信息的操作；

輔助存儲器件，其被配置為儲存用于對命令和信息進行解碼的程序；

主存儲器件，其被配置為從輔助存儲器件調用和儲存程序和信息，使得處理器能夠在執行程序時利用程序和信息來執行操作；以及

接口器件，其被配置為執行在處理器、輔助存儲器件和主存儲器件中的至少一個與外部之間的通信，

其中，半導體存儲器是處理系統中的輔助存儲器件或者主存儲器件的一部分。

12.根據權利要求1所述的電子裝置，還包括數據儲存系統，所述數據儲存系統包括：

儲存器件，其被配置為儲存數據并且保持儲存的數據，而與電源無關；

控制器，其被配置為根據從外部輸入的命令來控制數據輸入至儲存器件和數據從儲存器件輸出；

暫時儲存器件，其被配置為暫時地儲存在儲存器件與外部之間交換的數據；以及

接口，其被配置為執行在儲存器件、控制器和暫時儲存器件中的至少一個與外部之間的通信，

其中，半導體存儲器是數據儲存系統中的儲存器件或者暫時儲存器件的一部分。