[發明專利]發光二極管顯示器在審
| 申請號: | 201711077697.2 | 申請日: | 2017-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN107731863A | 公開(公告)日: | 2018-02-23 |
| 發明(設計)人: | 張正杰;蔡正曄;林晴祥;俞方正;陳振彰;黃柏榮;楊文瑋;曹梓毅 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 梁揮,許志影 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 顯示器 | ||
1.一種發光二極管顯示器,包括第一基板,像素單元設置于該第一基板上,該像素單元包括紅色子像素、綠色子像素與藍色子像素,其特征在于,
該綠色子像素具有綠光微型發光二極管,該綠光微型發光二極管包括:
初始綠光微型發光二極管;
綠色色阻覆蓋層,該綠色色阻覆蓋層覆蓋于該初始綠光微型發光二極管的外側表面,該綠色色阻覆蓋層具有至少一開口;以及,
第一接觸電極,設置于該綠色色阻覆蓋層上,且該第一接觸電極自該至少一開口電連接于該初始綠光微型發光二極管;
其中,該綠色色阻覆蓋層用于濾除該初始綠光微型發光二極管發出的光線中波長為600nm至650nm的光線。
2.如權利要求1所述的發光二極管顯示器,其特征在于,該初始綠光微型發光二極管為垂直式發光二極管,該初始綠光微型發光二極管包括第一型半導體層、第一主動層及第二型半導體層,第一主動層設置于該第一型半導體層上,第二型半導體層設置于該第一主動層上,且該第二型半導體層背對該第一主動層的表面為出光面。
3.如權利要求2所述的發光二極管顯示器,其特征在于,該第一接觸電極層設置于該第二型半導體層的該出光面。
4.如權利要求2所述的發光二極管顯示器,其特征在于,該第一接觸電極與該第二型半導體層之間形成歐姆接觸。
5.如權利要求1所述的發光二極管顯示器,其特征在于,該初始綠光微型發光二極管為水平式發光二極管,該初始綠光微型發光二極管包括第三型半導體層、第二主動層及第四型半導體層,該第二主動層及該第四型半導體層未完全覆蓋該第三型半導體層,使得部分第三型半導體層被暴露出;該至少一開口包括兩個第二開口,兩個第二開口的其中之一使得部分該第三型半導體層被暴露出,兩個第二開口的其中之另一使得部分該第四型半導體層被暴露出;兩個第二接觸電極形成于該綠色色阻覆蓋層上,兩個第二接觸電極其中之一自兩個第二開口其中之一電連接該第四型半導體層,兩個第二接觸電極其中之另一自兩個第二開口其中之另一電連接該第三型半導體層。
6.如權利要求5所示的發光二極管顯示器,其特征在于,該第一接觸電極及該第二接觸電極的材料為金屬銀。
7.如權利要求1所示的發光二極管顯示器,其特征在于,該紅色子像素具有紅光微型發光二極管,該紅光微型發光二極管包括:初始紅光微型發光二極管、紅色色阻覆蓋層以及第二接觸電極,該紅色色阻覆蓋層覆蓋于該初始紅光微型發光二極管的外側表面,該紅色色阻覆蓋層具有至少一開口;該第二接觸電極設置于該紅色色阻覆蓋層上,且該第二接觸電極自該至少一開口電連接于該初始紅光微型發光二極管。
8.如權利要求1所示的發光二極管顯示器,其特征在于,該藍色子像素具有藍光微型發光二極管,該藍光微型發光二極管包括:初始藍光微型發光二極管、藍色色阻覆蓋層以及第三接觸電極,該紅色色阻覆蓋層覆蓋于該初始藍光微型發光二極管的外側表面,該藍色色阻覆蓋層具有至少一開口;該第三接觸電極設置于該藍色色阻覆蓋層上,且該第三接觸電極自該至少一開口電連接于該初始藍光微型發光二極管。
9.一種發光二極管顯示器,包括第一基板,像素單元設置于該第一基板上,該像素單元包括紅色子像素、綠色子像素與藍色子像素,其特征在于,該發光二極管顯示器還包括:
第二基板,與該第一基板相對設置;以及,
彩色濾光層,設置于該第二基板面對該第一基板的表面上,該彩色濾光層包括紅色色阻、綠色色阻及藍色色阻,該紅色色阻、該綠色色阻及該藍色色阻分別與該紅色子像素、該綠色子像素與該藍色子像素一一對應;
其中,該綠色子像素具有初始綠光微型發光二極管;且該綠色色阻層用于濾除該初始綠光微型發光二極管發出的光線中波長為600nm至650nm的光線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





