[發明專利]LDMOS及其制造方法

有效

• 申請號: 201711075696.4
• 申請日: 2017-11-06
• 公開（公告）號: CN107910358B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 胡君
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種LDMOS，其特征在于，包括：

溝道區，由具有第一導電類型的第一高壓阱區組成；

漂移區，包括具有第二導電類型的第二高壓阱區；

所述溝道區的第二側面和所述漂移區的第一側面橫向接觸；

在所述漂移區表面區域中形成有第一場氧化層，所述第一場氧化層的第一側面和所述溝道區的第二側面相隔有距離且位于所述第一場氧化層的第一側面和所述溝道區的第二側面之間的所述漂移區為積累區，所述積累區由所述第二高壓阱區組成；

在所述溝道區表面形成有由柵介質層和多晶硅柵組成的柵極結構，所述多晶硅柵的第二側面向所述漂移區橫向延伸并延伸到所述第一場氧化層表面；被所述多晶硅柵覆蓋的所述溝道區表面用于形成溝道；

由第二導電類型重摻雜區組成的源區形成于所述溝道區表面且和所述多晶硅柵的第一側面自對準；

由第二導電類型重摻雜區組成的漏區形成于所述第一場氧化層的第二側面外的所述漂移區表面；

所述漂移區還包括具有第二導電類型的第一注入區，在橫向上所述第一注入區覆蓋于所述漏區到所述溝道區的第二側面之間，在縱向上所述第一注入區疊加于所述第一場氧化層底部的所述第二高壓阱區上且所述第一注入區位于所述積累區的底部；所述第一注入區為獨立于所述第二高壓阱區的工藝的注入區，通過所述第一注入區降低所述漂移區的電阻并將所述漏區的電壓更好的傳遞到所述積累區中，用于抬高所述積累區中的電勢并增加所述積累區的耗盡，使所述積累區的電場強度增加從而提高器件的飽和電流。

2.如權利要求1所述的LDMOS，其特征在于：在所述第一高壓阱區和所述第二高壓阱區的底部還形成有具有第一導電類型摻雜的第一深阱。

3.如權利要求1所述的LDMOS，其特征在于：在所述第一高壓阱區的表面還形成有由第一導電類型重摻雜區組成的體引出區。

4.如權利要求3所述的LDMOS，其特征在于：所述體引出區和所述源區之間隔離有第二場氧化層。

5.如權利要求3所述的LDMOS，其特征在于：在俯視面上，所述第一高壓阱區還環繞在所述第二高壓阱區的第二側面外并通過第一導電類型重摻雜區引出從而組成隔離環結構。

6.如權利要求1所述的LDMOS，其特征在于：LDMOS為PLDMOS，第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。

7.如權利要求6所述的LDMOS，其特征在于：所述第一注入區的注入雜質為硼，注入能量范圍為50kev～100kev，注入劑量范圍為5e11cm^-2～5e12cm^-2。

8.如權利要求1所述的LDMOS，其特征在于：LDMOS為NLDMOS，第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。

9.如權利要求8所述的LDMOS，其特征在于：所述第一注入區的注入雜質為磷，注入能量范圍為100kev～300kev，注入劑量范圍為5e11cm^-2～5e12cm^-2。