[發(fā)明專利]存儲器件及其設(shè)置導(dǎo)電線的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711074876.0
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN108206033B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金榮柱;金秀娥;金洙榮;元民佑;元福淵;權(quán)志錫;金榮浩;柳志學(xué);尹炫喆;李碩宰;韓相根;姜雄大;權(quán)赫準(zhǔn);李范在
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳曉兵

1.一種包括存儲器單元陣列區(qū)域的存儲器件，所述存儲器件包括：

列選擇信號線，形成在所述存儲器單元陣列區(qū)域的第一列導(dǎo)電層中并在列方向上延伸；

全局輸入輸出數(shù)據(jù)線，形成在所述存儲器單元陣列區(qū)域中與所述第一列導(dǎo)電層不同的第二列導(dǎo)電層中并在列方向上延伸；以及

電源線，形成在所述存儲器單元陣列區(qū)域中所述第一列導(dǎo)電層和所述第二列導(dǎo)電層之間的屏蔽導(dǎo)電層中，

其中所述全局輸入輸出數(shù)據(jù)線包括在與列方向垂直的行方向上相鄰的第一全局輸入輸出數(shù)據(jù)線和第二全局輸入輸出數(shù)據(jù)線，所述第一全局輸入輸出數(shù)據(jù)線包括形成在所述第二列導(dǎo)電層中并在列方向上延伸的第一上部線段和形成在所述第二列導(dǎo)電層下方的屏蔽導(dǎo)電層中并在列方向上延伸的第一下部線段，以及所述第二全局輸入輸出數(shù)據(jù)線包括形成在所述屏蔽導(dǎo)電層中并在列方向上延伸的第二下部線段和形成在所述第二列導(dǎo)電層中并在列方向上延伸的第二上部線段，所述第二下部線段對應(yīng)于所述第一上部線段，所述第二上部線段對應(yīng)于所述第一下部線段。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述屏蔽導(dǎo)電層中的所述電源線在列方向上延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述屏蔽導(dǎo)電層中的所述電源線在與列方向垂直的行方向上延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器件，還包括：

主字線，形成在所述屏蔽導(dǎo)電層中并在行方向上延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器件，還包括：

字選擇信號線，形成在所述屏蔽導(dǎo)電層中并在行方向上延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，還包括：

形成在所述第一列導(dǎo)電層中并在列方向上延伸并且設(shè)置在所述列選擇信號線之間的電源線；以及

形成在所述第二列導(dǎo)電層中并在列方向上延伸并且設(shè)置在所述全局輸入輸出數(shù)據(jù)線之間的電源線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第一列導(dǎo)電層對應(yīng)于直接在第一導(dǎo)電層上方的第二導(dǎo)電層，所述屏蔽導(dǎo)電層對應(yīng)于直接在所述第二導(dǎo)電層上方的第三導(dǎo)電層，并且所述第二列導(dǎo)電層對應(yīng)于在所述第三導(dǎo)電層上方的第四導(dǎo)電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器件，還包括：

局部輸入輸出數(shù)據(jù)線，形成在所述第一導(dǎo)電層中并在與列方向垂直的行方向上延伸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述存儲器單元陣列區(qū)域包括多個存儲體陣列，以及

其中，所述屏蔽導(dǎo)電層中的所述電源線中的至少一個在不使用豎直接觸部的情況下穿透所述多個存儲體陣列中相鄰存儲體陣列之間的外圍電路區(qū)域，所述相鄰存儲體陣列在列方向上布置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器件，其中所述第二列導(dǎo)電層中的所述全局輸入輸出數(shù)據(jù)線還包括在與列方向垂直的行方向上相鄰的第三全局輸入輸出數(shù)據(jù)線和第四全局輸入輸出數(shù)據(jù)線，所述第三全局輸入輸出數(shù)據(jù)線包括在列方向上延伸的第一線段，所述第四全局輸入輸出數(shù)據(jù)線包括在列方向上延伸的第二線段，以及

其中所述第一線段的第一交換線段的位置與所述第二線段的第二交換線段的位置交換，使得所述第三全局輸入輸出數(shù)據(jù)線和所述第四全局輸入輸出數(shù)據(jù)線彼此相交。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器件，其中所述第一交換線段和所述第一線段之一通過第一豎直接觸部連接到在所述第二列導(dǎo)電層上方或下方的導(dǎo)電層中形成的第一跨接線段，以及

其中所述第二交換線段和所述第二線段之一通過第二豎直接觸部連接到在所述第二列導(dǎo)電層上方或下方的導(dǎo)電層中形成的第二跨接線段。