[發(fā)明專利]物理不可克隆函數(shù)編碼的產(chǎn)生方法及其產(chǎn)生的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711074658.7
• 申請(qǐng)日: 2017-11-03
• 公開（公告）號(hào): CN109753830B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾柏皓;林昱佑;許凱捷;李峰旻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F21/73
• 分類號(hào): G06F21/73
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種物理不可克隆函數(shù)編碼的產(chǎn)生方法，包括：

提供一PUF陣列，包括多個(gè)可編程電阻式存儲(chǔ)器；

對(duì)該P(yáng)UF陣列的所有的該些可編程電阻式存儲(chǔ)器進(jìn)行一形成程序和一編程程序；

進(jìn)行一估算程序以估算該P(yáng)UF陣列的混亂度，其通過將一基礎(chǔ)單元的一參考電流與通過所有該些可編程電阻式存儲(chǔ)器的一電流總和進(jìn)行比較，而得到一PUF混亂度；

根據(jù)該估算程序而確定一混亂度設(shè)定結(jié)果；以及

根據(jù)該混亂度設(shè)定結(jié)果而產(chǎn)生一PUF-ID。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理不可克隆函數(shù)編碼的產(chǎn)生方法，其中呈一低電阻狀態(tài)的該些可編程電阻式存儲(chǔ)器的一數(shù)目由該電流總和相對(duì)于該參考電流的一比例而確定。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的物理不可克隆函數(shù)編碼的產(chǎn)生方法，其中該P(yáng)UF陣列包括Q個(gè)該些可編程電阻式存儲(chǔ)器，且呈該低電阻狀態(tài)的該些可編程電阻式存儲(chǔ)器的該數(shù)目確定為X，則該P(yáng)UF混亂度為：(X/Q)×100％對(duì)((Q-X)/Q)×100％，其中X和Q均為正整數(shù)，

其中當(dāng)所估算的該P(yáng)UF混亂度在40％-60％對(duì)60％-40％的范圍內(nèi)，確定為該混亂度設(shè)定結(jié)果。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理不可克隆函數(shù)編碼的產(chǎn)生方法，其中通過分別施加一第一電壓和一第二電壓于該基礎(chǔ)單元的一晶體管的一柵極和一漏極，而得到該參考電流I_Ref。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的物理不可克隆函數(shù)編碼的產(chǎn)生方法，其中通過分別施加該第一電壓和該第二電壓于所有該些可編程電阻式存儲(chǔ)器的字線和位線，而得到該電流總和I_Total。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理不可克隆函數(shù)編碼的產(chǎn)生方法，還包括：

將該P(yáng)UF混亂度與一預(yù)定理想混亂度范圍進(jìn)行比較，其中若該P(yáng)UF混亂度落在該預(yù)定理想混亂度范圍內(nèi)，則確定為該混亂度設(shè)定結(jié)果；若該P(yáng)UF混亂度落在該預(yù)定理想混亂度范圍之外，則令所有該些可編程電阻式存儲(chǔ)器再次進(jìn)行該形成程序和該編程程序。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物理不可克隆函數(shù)編碼的產(chǎn)生方法，其中重復(fù)進(jìn)行該形成程序、該編程程序和該估算程序，直到得到的該P(yáng)UF混亂度落在一預(yù)定理想混亂度范圍內(nèi)為止。

8.根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的物理不可克隆函數(shù)編碼的產(chǎn)生方法，其中當(dāng)呈一低電阻狀態(tài)的該些可編程電阻式存儲(chǔ)器的一數(shù)目為該P(yáng)UF陣列的該些可編程電阻式存儲(chǔ)器的總數(shù)的40％-60％時(shí)，確定為該混亂度設(shè)定結(jié)果。

9.一種具有物理不可克隆函數(shù)編碼的裝置，包括：

一可編程存儲(chǔ)器陣列，設(shè)置于一基板的一PUF區(qū)域中；

一程序控制器，設(shè)置于該基板上，且與該可編程存儲(chǔ)器陣列耦接，該程序控制器執(zhí)行以下步驟，包括：

對(duì)該可編程存儲(chǔ)器陣列包括的所有的多個(gè)可編程電阻式存儲(chǔ)器進(jìn)行一形成程序和一編程程序，其中該可編程存儲(chǔ)器陣列在執(zhí)行該編程程序后可產(chǎn)生一或多組數(shù)據(jù)；

進(jìn)行一估算程序以估算該P(yáng)UF陣列的混亂度，其通過將一基礎(chǔ)單元的一參考電流I_Ref與通過所有該些可編程電阻式存儲(chǔ)器的一電流總和I_Total進(jìn)行比較，而得到一PUF混亂度；

根據(jù)該估算程序而確定一混亂度設(shè)定結(jié)果；以及

根據(jù)該混亂度設(shè)定結(jié)果而產(chǎn)生一PUF-ID；以及

一安全邏輯單元，設(shè)置于該基板上且耦接至該程序控制器，其中該安全邏輯單元儲(chǔ)存該P(yáng)UF-ID。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中呈一低電阻狀態(tài)的該些可編程電阻式存儲(chǔ)器的一數(shù)目由該電流總和相對(duì)于該參考電流的一比例而確定，其中該可編程存儲(chǔ)器陣列包括Q個(gè)該些可編程電阻式存儲(chǔ)器，且呈該低電阻狀態(tài)的該些可編程電阻式存儲(chǔ)器的該數(shù)目確定為X，則該P(yáng)UF混亂度為：(X/Q)×100％對(duì)((Q-X)/Q)×100％，其中X和Q均為正整數(shù)。