[發(fā)明專(zhuān)利]一種減少半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中鋁襯墊缺陷的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711073027.3
• 申請(qǐng)日: 2017-11-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107910245B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜鵬飛;劉選軍;羅巍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本分發(fā)明提供了一種減少半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中鋁襯墊缺陷的方法，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一鋁襯墊，鋁襯墊的表面包括多個(gè)缺陷生成物；提供一等離子體刻蝕設(shè)備設(shè)備，等離子體刻蝕設(shè)備包括一反應(yīng)腔體，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置于反應(yīng)腔體內(nèi)；包括以下步驟：于反應(yīng)腔體內(nèi)形成等離子體，通過(guò)等離子體轟擊鋁襯墊的表面，以去除鋁襯墊表面的缺陷生成物；于反應(yīng)腔體內(nèi)通入清洗氣體，通過(guò)清洗氣體對(duì)殘留在鋁襯墊表面的缺陷生成物進(jìn)行清洗去除。其技術(shù)方案的有益效果在于，通過(guò)在反應(yīng)腔體內(nèi)對(duì)鋁襯墊生成的缺陷生成物進(jìn)行有效去除，進(jìn)而可以避免器件在進(jìn)行后續(xù)PID(系統(tǒng)電壓耐受測(cè)試)以及bonding test(焊點(diǎn)推拉力測(cè)試)時(shí)會(huì)導(dǎo)致測(cè)試不合格要求返廠，增加報(bào)廢率導(dǎo)致成本上升的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種減少半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中鋁襯墊缺陷的方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在制備形成鋁襯墊時(shí)，由于在反應(yīng)過(guò)程存在的眾多的不確定因素，如反應(yīng)氣體以及反應(yīng)腔體的空氣中存在的水氣等，這些因素的綜合在一起，則會(huì)在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的鋁鋁襯墊的表面上形成鋁的氧化物，如AlOxFx等，如不及時(shí)將這些鋁襯墊的表面上的生成物去除，則會(huì)在鋁襯墊的表面上形成缺陷，而這些缺陷是制程過(guò)程中不愿意看到的，在鋁襯墊上出現(xiàn)一定缺陷生成物時(shí)，在對(duì)器件進(jìn)行后續(xù)的PID（系統(tǒng)電壓耐受測(cè)試）以及bonding test（焊點(diǎn)推拉力測(cè)試）時(shí)會(huì)導(dǎo)致測(cè)試不合格，因此亟需一種能夠在形成鋁襯墊的制程中有效去除因?yàn)橹瞥坦に囋阡X襯墊的表面生成的缺陷生成物的方法。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中由于在鋁襯墊的表面上生成的氧化物導(dǎo)致鋁襯墊缺陷存在的上述問(wèn)題，現(xiàn)提供一種旨在有效的去除鋁襯墊上出現(xiàn)的缺陷生成物，避免存在的缺陷生成物導(dǎo)致鋁襯墊進(jìn)行焊點(diǎn)推拉力測(cè)試以及系統(tǒng)電壓耐受測(cè)試出現(xiàn)不合格的問(wèn)題的方法。

具體技術(shù)方案如下：

一種減少半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中鋁襯墊缺陷的方法，其特征在于，提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一鋁襯墊，所述鋁襯墊的表面包括多個(gè)缺陷生成物；

提供一等離子體刻蝕設(shè)備設(shè)備，所述等離子體刻蝕設(shè)備包括一反應(yīng)腔體，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置于所述反應(yīng)腔體內(nèi)；

包括以下步驟：

步驟S1、于所述反應(yīng)腔體內(nèi)形成等離子體，通過(guò)所述等離子體轟擊所述鋁襯墊的表面，以去除所述鋁襯墊表面的所述缺陷生成物；

步驟S2、于所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入清洗氣體，通過(guò)所述清洗氣體對(duì)殘留在所述鋁襯墊表面的所述缺陷生成物進(jìn)行清洗去除。

優(yōu)選的，在所述步驟S1中，形成所述等離子體對(duì)所述鋁襯墊的表面進(jìn)行轟擊的方法包括：

步驟S11、于所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入多種反應(yīng)氣體；

步驟S12、使所述反應(yīng)腔體內(nèi)形成一第一高壓環(huán)境；

步驟S13、調(diào)節(jié)所述等離子體刻蝕設(shè)備的射頻功率至第一射頻功率；

步驟S14、所述多種反應(yīng)氣體在所述反應(yīng)腔體內(nèi)形成所述等離子，以轟擊所述鋁襯墊的表面的缺陷生成物；

步驟S15、使所述等離子體轟擊過(guò)程維持一第一預(yù)定時(shí)間后結(jié)束，并執(zhí)行步驟S2。

優(yōu)選的，通的所述多種反應(yīng)氣體包括，CF₄氣體、CH₃氣體、Ar氣體；

其中，通入的所述CF₄氣體的流量在60每分鐘標(biāo)準(zhǔn)毫升；

通入的所述CH₃氣體的流量在20每分鐘標(biāo)準(zhǔn)毫升；

通入的所述Ar氣體的流量在20每分鐘標(biāo)準(zhǔn)毫升。

優(yōu)選的，所述反應(yīng)腔體內(nèi)形成的所述第一高壓環(huán)境的氣壓值為250兆帕。