[發明專利]一種陣列基板和陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201711072252.5
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN107894671B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 何懷亮
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 王麗

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

開關組件，設置在所述基板上；

像素電極，形成于所述開關組件上；

其中，所述開關組件包括第一金屬層；

光感測元件，對應設置在所述開關組件一側；

色阻層，形成在所述開關組件和光感測元件上；

其中，所述光感測元件包括直接形成于所述基板上，且與所述第一金屬層位于同一平面的第一電極層,以及設置在所述第一電極層上方的第一非晶硅層；

所述光感測元件還包括依次排列在所述第一電極層上方的P型非晶硅層和第一摻雜層，所述第一非晶硅層設置在所述P型非晶硅層和第一摻雜層之間；

所述開關組件從基板起依次包括：第一金屬層、絕緣層、第二非晶硅層和第二摻雜層；

所述第二摻雜層相對設置有源極金屬層和漏極金屬層；

所述第一非晶硅層和第二非晶硅層在同一平面，所述第一摻雜層和第二摻雜層在同一平面；

所述開關組件的外層包括有鈍化層，所述第一非晶硅層和第二非晶硅層，第一摻雜層和第二摻雜層之間通過鈍化層進行間隔；

所述第二非晶硅層靠近所述光感測元件的邊緣與所述第一電極層相互重疊。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于：所述第一金屬層和所述第一電極層采用同一金屬材料制成；

所述光感測元件的上部設置有與所述第一電極層對應的第二電極層。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述色阻層形成在所述鈍化層上；

所述色阻層包括紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻。

4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述色阻層形成在所述第二電極層上，對應覆蓋所述光感測元件；

所述色阻層包括紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光感測元件與開關組件成呈預設比例設置在所述陣列基板上。

6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，每個所述開關組件的兩側對應設置有一個光感測元件。

7.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板，開關組件，設置在所述基板上；

像素電極，形成于所述基板上；

其中，所述開關組件包括第一金屬層；

光感測元件，對應設置在所述開關組件一側；

色阻層，形成在所述開關組件和光感測元件上；

其中，所述光感測元件的第一電極層直接形成于所述基板上，且與所述第一金屬層位于同一平面；

所述第一金屬層和所述第一電極層采用同一金屬材料制成；所述光感測元件的上部設置有與所述第一電極層對應的第二電極層；

所述光感測元件包括依次排列在所述第一電極層上方的P型非晶硅層、第一非晶硅層和第一摻雜層；

所述開關組件從基板起依次包括：第一金屬層、絕緣層、第二非晶硅層和第二摻雜層；

所述第二摻雜層相對設置有源極金屬層和漏極金屬層；所述第一非晶硅層和第二非晶硅層在同一平面，所述第一摻雜層和第二摻雜層在同一平面；所述開關組件的外層包括有鈍化層，所述第一非晶硅層和第二非晶硅層，第一摻雜層和第二摻雜層之間通過鈍化層進行間隔；

所述光感測元件設置在每個相鄰的開關組件之間，所述色阻層形成在所述鈍化層上；所述色阻層形成在所述第二電極層上；

所述色阻層包括紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻；

所述色阻層上形成有像素電極；

所述第二非晶硅層靠近所述光感測元件的邊緣與所述第一電極層相互重疊。

8.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供一基板；

在基板上形成第一金屬層和第一電極層；

并在所述第一金屬層上依次形成絕緣層、第二非晶硅層、第二摻雜層以及位于同一層的源極金屬層和漏極金屬層，以形成開關組件；

在所述第一電極層上依次形成P型非晶硅層、第一非晶硅層和第一摻雜層，以形成光感測元件；

在所述源極金屬層、漏極金屬層上形成鈍化層和色阻層；

在所述第一摻雜層上形成第二電極層，在所述色阻層上形成像素電極；

其中，所述開關組件從基板起依次包括：第一金屬層、絕緣層、第二非晶硅層和第二摻雜層；

所述第二摻雜層相對設置有源極金屬層和漏極金屬層；

所述第一非晶硅層和第二非晶硅層在同一平面，所述第一摻雜層和第二摻雜層在同一平面；

所述開關組件的外層包括有鈍化層，所述第一非晶硅層和第二非晶硅層，第一摻雜層和第二摻雜層之間通過鈍化層進行間隔；所述第二非晶硅層靠近所述光感測元件的邊緣與所述第一電極層相互重疊。