[發明專利]發光二極管微晶粒的制作方法

在審

• 申請號: 201711071742.3
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN109755370A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 凃博閔;洪梓健;沈佳輝;黃建翔;彭建忠;林雅雯;邱鏡學
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;康曉春

本發明涉及一種發光二極管微晶粒的制作方法，包括：提供襯底基板，在襯底基板上形成緩沖層，且在緩沖層的表面形成激光阻隔層；在所述激光阻隔層上形成陣列排列的發光二極管微晶粒；提供輔助基板，在所述輔助基板上形成一層粘著膠層；將所述輔助基板具有粘著膠層的表面壓向所述發光二極管微晶粒，所述粘著膠層填充所述發發光二極管微晶粒之間的間隙，并對所述粘著膠層進行固化；從所述襯底基板的底面照射所述襯底基板使所述緩沖層氣化，所述襯底基板與所述激光阻隔層分離；蝕刻移除所述襯底基板；以及對所述粘著膠層進行解膠，便得到多個發光二極管微晶粒。

技術領域

本發明涉及集成電路器件制造裝置，尤其涉及一種發光二極管微晶粒的制作方法。

背景技術

現今，半導體封裝產業為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發展出各種不同型式的封裝設計，封裝用的半導體芯片是來自于晶圓廠制造的晶圓，所述晶圓具有一半導體基板并且在其表面形成有陣列排布的微晶粒。

現有技術中，在將良品晶粒(die/chip)與半導體基板分離之前需要對基板上的不良晶粒進行燒蝕(laser ablation)，由于雷射功率的控制與均勻性會導致對晶粒磊晶層的蝕刻效率不同，會造成晶粒燒蝕不深而殘留或者晶粒燒蝕過深的問題。在覆晶制程中，會使用輔助基板去協助晶粒的分離，也即是將形成有粘著膠層的基板壓合在晶粒的表面，并利用激光去照射半導體基板，如此，激光會穿過半導體基板到達粘著膠層，在激光光束到達殘留晶粒的位置、燒蝕過深晶粒的位置以及良品晶粒之間的間隙；粘著膠層由于激光能量而發生焦化，導致粘著膠層與半導體不易分離進而造成良品晶粒與半導體基板的剝離困難。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種能夠解決上述技術問題的發光二極管微晶粒的制作方法。

一種發光二極管微晶粒的制作方法，其包括：

提供襯底基板，在所述襯底基板上形成緩沖層，且在所述緩沖層的表面形成激光阻隔層；

在所述激光阻隔層上形成陣列排列的發光二極管微晶粒；

提供輔助基板，在所述輔助基板上形成一層粘著膠層；

將所述輔助基板具有粘著膠層的表面壓向所述發光二極管微晶粒，所述粘著膠層填充所述發發光二極管微晶粒之間的間隙，并對所述粘著膠層進行固化；

從所述襯底基板的底面照射所述襯底基板使所述緩沖層氣化，以使所述襯底基板與所述激光阻隔層分離；

蝕刻移除所述襯底基板；以及

對所述粘著膠層進行解膠，便得到多個發光二極管微晶粒。

在一個優選實施方式中，在“提供輔助基板，在所述輔助基板上形成一層粘著膠層”之前還包括檢測出不良的發光二極管微晶粒并利用激光光束進行燒蝕，保留發光二極管微晶粒中的良品的步驟。

在一個優選實施方式中，所述襯底基板為藍寶石襯底，所述緩沖層及所述激光阻隔層均是通過金屬有機化學氣相沉積法形成。

在一個優選實施方式中，所述緩沖層的材質為氮化鋁或者氮化鎵，所述緩沖層的厚度為10納米至50納米。

在一個優選實施方式中，所述激光阻隔層的材質為氮化鎵或者氮化鋁銦鎵，所述激光阻隔層的厚度為大于或者等于0.5微米，所述激光阻隔層通過干式蝕刻或者濕式蝕刻移除。

在一個優選實施方式中，所述激光阻隔層的厚度為0.5～1微米。