[發明專利]一種連接孔結構的制備方法

在審

• 申請號: 201711071620.4
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN107946190A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 張成鋮;丁振宇;劉志攀;陳幸
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/308;H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種連接孔結構的制備方法，其特征在于，包括：

步驟S1，提供上表面制備有一鎢金屬層的晶圓；

步驟S2，于所述鎢金屬層的上表面依次制備一氧化層和一非定型碳薄膜層；

步驟S3，采用一光刻工藝于所述非定型碳薄膜層和所述鎢金屬層內形成通孔；

步驟S4，采用一等離子刻蝕工藝去除所述非定型碳薄膜層；

其中，所述步驟S4中，所述等離子刻蝕工藝采用的反應氣體為氮氣和氫氣的混合氣體。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述等離子刻蝕工藝采用恒定的射頻頻率。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述射頻頻率為1000～5000W。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述氮氣的流量為200～8000sccm。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述氫氣的流量為200～7000sccm。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述等離子刻蝕工藝采用雙保護層對晶圓進行保護。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述等離子刻蝕工藝采用的壓強為400～1000mtorr。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述等離子刻蝕工藝的刻蝕時間為600～900s。