[發(fā)明專利]GOA電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711071463.7
• 申請(qǐng)日: 2017-11-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107909971B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂曉文;陳仁祿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/36
• 分類號(hào): G09G3/36
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種GOA電路，其特征在于，包括：多級(jí)GOA單元，每一級(jí)GOA單元均包括：上拉控制模塊(100)、輸出模塊(200)、下拉模塊(300)、第一下拉維持模塊(400)；

設(shè)N為正整數(shù)，除第一級(jí)至第四級(jí)GOA單元和倒數(shù)第四級(jí)至最后一級(jí)GOA單元外，在第N級(jí)GOA單元中：

所述上拉控制模塊(100)接入上四級(jí)第N-4級(jí)GOA單元的級(jí)傳信號(hào)(ST(N-4))和第N-4級(jí)GOA單元的掃描信號(hào)(G(N-4))，并電性連接第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))，用于根據(jù)第N-4級(jí)GOA單元的級(jí)傳信號(hào)(ST(N-4))及第N-4級(jí)GOA單元的掃描信號(hào)(G(N-4))上拉第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))的電位；所述輸出模塊(200)接入時(shí)鐘信號(hào)(CK)并電性連接第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))，用于在第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))的電位控制下輸出掃描信號(hào)(G(N))和級(jí)傳信號(hào)(ST(N))；所述下拉模塊(300)接入下四級(jí)第N+4級(jí)GOA單元的掃描信號(hào)(G(N+4))和第二低電位信號(hào)(Vss2)，并電性連接第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))，用于根據(jù)第N+4級(jí)GOA單元的掃描信號(hào)(G(N+4))將第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))的電位下拉至第二低電位信號(hào)(Vss2)的電位；所述第一下拉維持模塊(400)接入掃描信號(hào)(G(N))、第一低電位信號(hào)(Vss1)、及第二低電位信號(hào)(Vss2)，并電性連接第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))，用于在第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))的電位控制下將掃描信號(hào)(G(N))的電位維持在第一低電位信號(hào)(Vss1)的電位并將第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))的電位維持在第二低電位信號(hào)(Vss2)的電位；

所述第一低電位信號(hào)(Vss1)的電位大于所述第二低電位信號(hào)(Vss2)的電位，所述第二低電位信號(hào)(Vss2)的電位大于時(shí)鐘信號(hào)(CK)的低電位；

所述下拉模塊(300)包括第四十一薄膜晶體管(T41)，所述第四十一薄膜晶體管(T41)的柵極接入下四級(jí)第N+4級(jí)GOA單元的掃描信號(hào)(G(N+4))，源極接入第二低電位信號(hào)(Vss2)，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))；

在除了第一級(jí)至第四級(jí)GOA單元以外的第N級(jí)GOA單元中還設(shè)有第四十四薄膜晶體管(T44)，所述第四十四薄膜晶體管(T44)的柵極接入電路啟動(dòng)信號(hào)(STV)，源極接入第二低電位信號(hào)(Vss2)，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))。

2.如權(quán)利要求1所述的GOA電路，其特征在于，所述第一下拉維持模塊(400)包括第三十二薄膜晶體管(T32)、第四十二薄膜晶體管(T42)、第五十一薄膜晶體管(T51)、第五十二薄膜晶體管(T52)、第五十三薄膜晶體管(T53)、及第五十四薄膜晶體管(T54)；所述第三十二薄膜晶體管(T32)的柵極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(P(N))，源極接入第一低電位信號(hào)(Vss1)，漏極接入掃描信號(hào)(G(N))；所述第四十二薄膜晶體管(T42)的柵極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(P(N))，源極接入第二低電位信號(hào)(Vss2)，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))；所述第五十一薄膜晶體管(T51)的柵極及源極均接入第一控制信號(hào)(LC1)，漏極電性連接第五十三薄膜晶體管(T53)的柵極；所述第五十二薄膜晶體管(T52)的柵極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))，源極接入第二低電位信號(hào)(Vss2)，漏極電性連接第五十一薄膜晶體管(T51)的漏極；所述第五十三薄膜晶體管(T53)的源極電性連接第五十一薄膜晶體管(T51)的源極，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(P(N))；所述第五十四薄膜晶體管(T54)的柵極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(Q(N))，源極接入第二低電位信號(hào)(Vss2)，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(P(N))。