[發明專利]一種提高晶圓界面懸掛鍵鍵合的方法在審
| 申請號： | 201711071283.9 | 申請日： | 2017-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN107910255A | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發明（設計）人： | 王喜龍 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/18 | 分類號： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 界面 懸掛 鍵鍵合 方法 | ||
1.一種提高晶圓界面懸掛鍵鍵合的方法，應用于鍵合工藝的晶圓，其特征在于，所述晶圓具有一鍵合界面，所述鍵合界面的硅原子具有懸掛鍵；
提供一第一反應腔體，用以放置所述晶圓；
包括以下步驟：
步驟S1、向所述第一反應腔體中通入氧氣；
步驟S2、對通入的所述氧氣進行解離以在所述鍵合界面形成一層氧離子層；
步驟S3、于所述氧離子層上依次沉積一介電層以及一保護層以形成一復合結構；
步驟S4、通過退火工藝對所述復合結構進行處理，使位于所述介電層與所述鍵合界面之間的所述離子層中的氧原子與所述懸掛鍵鍵合。
2.根據權利要求1所述的提高晶圓界面懸掛鍵鍵合的方法，其特征在于，通過物理氣相沉積工藝于所述氧離子層上沉積形成所述介電層。
3.根據權利要求1所述的提高晶圓界面懸掛鍵鍵合的方法，其特征在于，通過化學氣象沉積工藝于所述介電層上沉積形成所述保護層。
4.根據權利要求1所述的提高晶圓界面懸掛鍵鍵合的方法，其特征在于，所述介電層為HiK層。
5.根據權利要求1所述的提高晶圓界面懸掛鍵鍵合的方法，其特征在于，所述保護層為氧化硅層。
6.根據權利要求1所述的提高晶圓界面懸掛鍵鍵合的方法，其特征在于，提供一第二反應腔體，所述第二反應腔體中包括一加熱裝置；
將所述復合結構放置于所述第二反應腔體內，并調節所述加熱裝置以在所述第二反應腔體內形成一反應溫度。
7.根據權利要求6所述的提高晶圓界面懸掛鍵鍵合的方法，其特征在于，所述反應溫度的范圍在350度-450度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
