[發(fā)明專利]一種高精度的HBT制備工藝

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• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN107895696A
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設計）人: 王勇
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 廈門市首創(chuàng)君合專利事務所有限公司35204
• 代理人: 張松亭,陳淑嫻

1.一種高精度的HBT制備工藝，其特征在于包括以下步驟：

1)提供或形成半導體基底，所述半導體基底包括依次層疊的集電極層、基極層、蝕刻停止層和發(fā)射極層；

2)于發(fā)射極層表面的預設發(fā)射極區(qū)域沉積金屬作為發(fā)射極的金屬接觸；

3)蝕刻去除預設發(fā)射極區(qū)域之外的發(fā)射極層，余下部分形成發(fā)射極臺階；

4)于步驟3)形成的結構表面生長一層介質層，介質層的厚度為發(fā)射極臺階至兩側預設基極區(qū)域的距離；

5)通過各向異性干法蝕刻工藝蝕刻所述介質層，余下附著于發(fā)射極臺階兩側壁的介質層作為分隔層；

6)于蝕刻停止層表面的預設基極區(qū)域沉積金屬并合金化作為基極的金屬接觸。

2.根據(jù)權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：步驟2)具體為：于發(fā)射極層表面涂覆負光阻，通過曝光、顯影于預設發(fā)射極區(qū)域形成顯開窗口，沉積金屬于所述顯開窗口之內(nèi)形成發(fā)射極的金屬接觸，并剝離光阻。

3.根據(jù)權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：步驟3)具體為：于步驟2)形成的結構表面涂覆正光阻，通過曝光、顯影于預設發(fā)射極區(qū)域形成遮蔽層，對遮蔽層之外的發(fā)射極層進行蝕刻以去除，并剝離光阻。

4.根據(jù)權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：步驟4)中，所述介質層的厚度為0.3～1μm。

5.根據(jù)權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：所述介質層是SiN或SiN與SiO₂、SiON中至少一種的復合層。

6.根據(jù)權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：步驟6)具體為：于步驟5)形成的結構表面涂覆負光阻，通過曝光、顯影于預設基極區(qū)域形成顯開窗口，沉積金屬于所述顯開窗口之內(nèi)，剝離光阻后進行合金化。

7.根據(jù)權利要求6所述的制備工藝，其特征在于：所述合金化溫度為350～420℃，時間為40～180s，所述基極金屬擴散通過蝕刻停止層并與所述基極層接觸。

8.根據(jù)權利要求1所述的制備工藝，其特征在于：所述集電極層為n型GaAs，所述基極層為p型GaAs，所述蝕刻停止層為InGaP，所述發(fā)射極層為InGaAs或n型GaAs。