[發(fā)明專利]具有不可拆卸凸塊的無(wú)引線封裝件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711070414.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108022980A | 公開(公告)日: | 2018-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周偉煌;周安樂(lè) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安世有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/872 | 分類號(hào): | H01L29/872;H01L23/49 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧麗波;李榮勝 |
| 地址: | 荷蘭*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 不可 拆卸 引線 封裝 | ||
1.一種無(wú)引線半導(dǎo)體器件,包括:
頂表面、與所述頂表面相對(duì)的底表面、以及在所述頂表面和所述底表面之間延伸的多個(gè)側(cè)壁;以及
形成在所述底表面上的至少一個(gè)連接焊盤,其中所述連接焊盤包括連接部和從所述連接部突出的至少一個(gè)突出部,使得所述至少一個(gè)突出部和所述連接部在所述底表面上形成用于接收焊料的空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中所述至少一個(gè)突出部從所述連接部的一側(cè)延伸至預(yù)定高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中所述連接焊盤包括從所述連接部突出的多個(gè)突出部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件,其中所述多個(gè)突出部彼此平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件,其中所述多個(gè)突出部中的至少一個(gè)與所述多個(gè)突出部中的至少另一個(gè)交叉。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件,其中所述多個(gè)突出部中的一個(gè)垂直于所述多個(gè)突出部中的另一個(gè),使得所述突出部交叉。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中所述至少一個(gè)突出部從所述連接部垂直地突出,使得所述連接焊盤為“L”形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中所述至少一個(gè)突出部和所述連接部的界面具有傾斜或弧形的輪廓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中所述連接焊盤的連接部設(shè)置在所述底表面上,并且所述連接部的邊緣與所述側(cè)壁間隔開預(yù)定距離。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中所述至少一個(gè)突出部從所述連接部的一側(cè)突出,所述連接部的所述一側(cè)相比于所述底表面的邊緣更靠近所述底表面的中心位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中所述至少一個(gè)突出部從所述連接部的一側(cè)突出,所述連接部的所述一側(cè)相比于所述底表面的中心位置更靠近所述底表面的邊緣位置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中當(dāng)所述半導(dǎo)體器件連接至外部電路時(shí),所述連接焊盤的連接部與所述外部電路相對(duì)布置。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中當(dāng)所述半導(dǎo)體器件連接至外部電路時(shí),所述至少一個(gè)突出部支撐所述半導(dǎo)體器件。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中當(dāng)所述半導(dǎo)體器件附接至外部電路時(shí),所述至少一個(gè)突出部接觸并電連接至所述外部電路的焊盤。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中所述連接焊盤使用晶圓制造工藝設(shè)置在所述底表面上。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中所述至少一個(gè)突出部和所述連接部由相同的材料制成。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其中所述連接焊盤構(gòu)造為向所述半導(dǎo)體器件提供外部連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





