[發明專利]晶片的加工方法在審
| 申請號： | 201711069366.4 | 申請日： | 2017-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN108074805A | 公開（公告）日： | 2018-05-25 |
| 發明（設計）人： | 中村勝 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帥;喬婉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 芯片 分割預定線 改質層 磨削 彼此分離 干冰微粒 高速噴射 晶片分割 芯片側面 粘貼 加工 背面 清洗 分割 污染 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶片的加工方法，該晶片在正面上的由分割預定線劃分的多個區域中形成有器件，其中，該晶片的加工方法具有如下的步驟：
改質層形成步驟，從晶片的背面將對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于晶片內部而沿著分割預定線進行照射，在晶片內部形成改質層；
分割步驟，在實施了該改質層形成步驟之后，從晶片的背面利用磨削單元進行磨削而使晶片薄化至完工厚度，并且利用磨削動作以該改質層作為起點而沿著該分割預定線對晶片進行分割；
擴展帶粘貼步驟，在實施了該分割步驟之后，在進行了磨削的背面側粘貼擴展帶；
帶擴展步驟，在實施了該擴展帶粘貼步驟之后，對擴展帶進行擴展，在使相鄰的芯片彼此分離的方向上進行擴展而在相鄰的芯片間形成間隙；以及
芯片間清洗步驟，在實施了該帶擴展步驟之后，使干冰微粒高速噴射至該芯片間的間隙而沿著多個芯片間進行噴射，對芯片間進行清洗。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
