[發明專利]清洗裝置有效
| 申請號: | 201711069282.0 | 申請日: | 2017-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN107845590B | 公開(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發明(設計)人: | 陸從喜;林宗賢;吳龍江;辛君 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吳敏 |
| 地址: | 223302 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 裝置 | ||
1.一種清洗裝置,所述清洗裝置用于清洗晶圓,其特征在于,包括:
清洗槽,所述清洗槽具有第一側壁;
位于清洗槽內的推移裝置,所述推移裝置用于通過支撐晶圓的側壁將晶圓沿著第一側壁移出所述清洗槽,所述推移裝置包括頂針,所述頂針具有針中心軸和針延展軸,所述針延展軸垂直于針中心軸,且所述針延展軸在將晶圓移出清洗槽的過程中位于垂直于第一側壁表面的一個平面,所述頂針的頂部具有凹陷面;
所述凹陷面具有面底點和面頂點,所述面頂點沿針延展軸方向位于面底點兩側,所述面底點用于與晶圓的側壁接觸;
所述頂針包括基座區和沿針中心軸方向與基座區鄰接的支撐區;所述頂針支撐區具有前頂針面、后頂針面、兩個頂針側面以及所述凹陷面,所述前頂針面和所述后頂針面相對設置,所述凹陷面與所述兩個頂針側面相交、且與前頂針面和后頂針面相交;所述兩個頂針側面與前頂針面相交構成第一前棱和第二前棱,第一前棱和第二前棱相交于頂針的頂部,所述兩個頂針側面與后頂針面相交構成第一后棱和第二后棱,第一后棱和第二后棱相交于頂針的頂部;所述前頂針面、兩個頂針側面和凹陷面的交點,以及后頂針面、兩個頂針側面和凹陷面的交點分別構成所述面頂點;所述凹陷面與頂針側面相交構成頂針棱,所述頂針棱沿著針中心軸向頂針內凹進;
所述頂針的支撐區內還具有引流槽,所述引流槽從凹陷面延伸至基座區側壁,且各頂針側面均暴露出引流槽的開口,所述引流槽的底部表面于所述凹陷面相交且和基座區側壁相交。
2.根據權利要求1所述的清洗裝置,其特征在于,所述兩個頂針側面在所述凹陷面兩側對稱分布;所述兩個頂針側面之間的夾角為5度~60度。
3.根據權利要求1所述的清洗裝置,其特征在于,各頂針棱均具有棱底點,所述棱底點位于引流槽的底部表面和凹陷面的交線中;所述凹陷面在垂直于針延展軸并平行于針中心軸的剖面內具有剖面交線,所述剖面交線為直線;所述面底點和兩個棱底點位于同一條剖面交線中,且面底點位于兩個棱底點之間。
4.根據權利要求3所述的清洗裝置,其特征在于,所述棱底點之間的距離為0.1mm~2mm。
5.根據權利要求1所述的清洗裝置,其特征在于,各引流槽的底部表面和凹陷面的交線具有第一端點和第二端點;在各引流槽的底部表面和凹陷面的交線中,第一端點和第二端點之間的距離為1mm~3mm。
6.根據權利要求1所述的清洗裝置,其特征在于,所述晶圓具有相對的晶圓底面和器件面,晶圓的側壁位于晶圓底面和器件面之間;所述第一側壁在將晶圓移出清洗槽的過程中朝向晶圓底面;所述清洗槽還具有與第一側壁相交的第一底壁,第一側壁與第一底壁之間的夾角為鈍角。
7.根據權利要求6所述的清洗裝置,其特征在于,所述清洗槽還具有第二側壁,所述第二側壁與所述第一側壁相對設置,且所述第二側壁與所述第一底壁垂直,所述第二側壁在將晶圓放置于清洗槽的過程中朝向所述器件面且與器件面平行。
8.根據權利要求6所述的清洗裝置,其特征在于,所述清洗槽具有清洗出口,所述推移裝置用于將晶圓通過所述清洗出口移出所述清洗槽;所述清洗裝置還包括:位于清洗槽外且位于清洗出口兩側的噴淋器,位于清洗出口兩側噴淋器之間的連線穿過晶圓底面和器件面,所述噴淋器在推移裝置將晶圓移出清洗槽的過程中向晶圓表面噴撒噴淋液。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于德淮半導體有限公司,未經德淮半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711069282.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種倉儲智能微循環控制裝置
- 下一篇:可用于高海拔的霍爾效應推進器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





