[發(fā)明專利]蝕刻方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711068815.3
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN108231575B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 久保卓也;康松潤
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;金世煜

1.一種蝕刻方法，是在磁阻效應(yīng)元件的制造中執(zhí)行的被加工物的蝕刻方法，

所述被加工物具有第1多層膜和與該第1多層膜層疊的第2多層膜，所述第1多層膜包括第1磁性層和第2磁性層以及設(shè)置在該第1磁性層與該第2磁性層之間的隧道勢壘層，所述第2多層膜是在所述磁阻效應(yīng)元件中構(gòu)成釘扎層的多層膜，

該方法包括如下工序：

蝕刻所述第1多層膜的工序；

為了在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)蝕刻所述第2多層膜而在該腔室內(nèi)生成第1氣體的等離子體的工序，該第1氣體包含烴氣和稀有氣體；以及

為了除去在生成第1氣體的等離子體的所述工序中形成于所述被加工物上的含碳堆積物而在所述腔室內(nèi)生成第2氣體的等離子體的工序，該第2氣體包含含有碳和氧的氣體、氧氣和稀有氣體，且不含氫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述第2氣體包含一氧化碳氣體或者二氧化碳氣體作為含有碳和氧的所述氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述第1氣體包含甲烷氣體作為所述烴氣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中，在生成第1氣體的等離子體的所述工序中，向工作臺的下部電極供給高頻波，以使得來自所述第1氣體的所述等離子體的離子與所述第2多層膜碰撞而蝕刻該第2多層膜，其中，在該工作臺上搭載有所述被加工物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻方法，其中，在生成第2氣體的等離子體的所述工序中，向所述下部電極供給所述高頻波。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中，在蝕刻所述第1多層膜的所述工序中，為了在所述腔室內(nèi)蝕刻所述第1多層膜，在該腔室內(nèi)生成僅稀有氣體的等離子體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蝕刻方法，其中，在蝕刻第1多層膜的所述工序中，向工作臺的下部電極供給高頻波，以使得來自所述僅稀有氣體的所述等離子體的離子與所述第1多層膜碰撞而蝕刻該第1多層膜，其中，在該工作臺上搭載有所述被加工物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中，生成第1氣體的等離子體的所述工序與生成第2氣體的等離子體的所述工序交替地反復(fù)進行。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述第2多層膜包含鈷層和鉑層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其中，所述第1磁性層和所述第2磁性層為CoFeB層，所述隧道勢壘層為MgO層。