[發(fā)明專利]包括高電阻基板的半導(dǎo)體元件的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711068704.2
• 申請(qǐng)日: 2017-11-03
• 公開（公告）號(hào): CN108022840A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: O·科農(nóng)丘克;I·貝特朗;L·卡佩洛;M·波卡特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: SOITEC公司
• 主分類號(hào): H01L21/324
• 分類號(hào): H01L21/324
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.半導(dǎo)體元件的制造方法，該方法包括快速熱處理的步驟，所述快速熱處理的步驟將包括電阻率大于1000歐姆·厘米的基底(2)的基板(1)暴露至峰值溫度，所述峰值溫度能夠使基底(2)的電阻率變差，所述方法的特征在于，在快速熱處理的步驟之后進(jìn)行矯正熱處理，所述矯正熱處理將基板暴露至在800℃和1250℃之間的矯正溫度，并具有下述冷卻速率：

-當(dāng)矯正溫度在1250℃和1150℃之間時(shí)，冷卻速率小于5℃/秒，

-當(dāng)矯正溫度在1150℃和1100℃之間時(shí)，冷卻速率小于20℃/秒，以及

-當(dāng)矯正溫度在1100℃和800℃之間時(shí)，冷卻速率小于50℃/秒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，峰值溫度在1050℃和1250℃之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述快速熱處理和所述矯正熱處理在快速熱退火布局中原位實(shí)現(xiàn)。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述矯正熱處理在與用于應(yīng)用快速熱處理的布局不同的布局中實(shí)現(xiàn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述矯正熱處理在立式爐中實(shí)現(xiàn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述矯正溫度保持為低于1050℃至少20秒。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，矯正溫度保持為：

-低于或等于1000℃持續(xù)至少1分鐘，或者

-低于或等于950℃持續(xù)至少5分鐘，或者

-低于或等于900℃持續(xù)至少30分鐘，或者

-低于或等于800℃持續(xù)至少3小時(shí)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述矯正熱處理在中性氣氛、還原氣氛或氧化氣氛中實(shí)現(xiàn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述基板(1)還包括在所述基底(2)上的絕緣體層(4)和在所述絕緣體層(4)上的表面層(5)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述基板(1)還包括在所述基底(2)和所述絕緣體層(4)之間的電荷捕獲層(3)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述電荷捕獲層(3)是多晶硅層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，在所述矯正熱處理之前形成所述基板(1)的保護(hù)層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述基底(2)由硅制成。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述半導(dǎo)體元件是射頻器件。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，所述半導(dǎo)體元件是具有200mm或300mm的直徑的絕緣體上的硅晶片。