[發(fā)明專利]超寬帶低噪聲放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711068702.3
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN107733375B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發(fā)明（設計）人: 李振榮;劉爽;莊奕琪;張超越
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/32;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24
• 代理公司: 陜西電子工業(yè)專利中心 61205
• 代理人: 王品華;朱紅星

1.一種超寬帶低噪聲放大器，采用兩級級聯(lián)結構，第一級放大電路A1包含以電阻為負載的基本共源極電路，第二級放大電路A2采用并聯(lián)峰值結構的基本共源極電路，包括第二放大管M2、第二偏置電阻R3、第二負載電阻R4及并聯(lián)峰值電感L1，兩級之間信號利用電容耦合，其特征在于：

第一級放大電路A1，包括第一放大管M1、二極管連接的反饋MOS管M3、偏置MOS管M4、第一偏置電阻R1、第一負載電阻R2、第三偏置電阻R5及反饋耦合電容C2，反饋MOS管M3和反饋耦合電容C2組成串聯(lián)電路，連接在第一放大管M1的柵極與漏極之間，用以提供寬帶的匹配和提高線性度，反饋MOS管M3的源極與偏置MOS管M4的漏極連接，偏置MOS管M4的源極連接到地，用以為反饋MOS管M3提供偏置電流；

第一放大管M1的柵極與第二放大管M2的漏極之間連接有輔助跨導放大器G，用于部分或全部消除由第一放大管M1、偏置MOS管M4及第一負載電阻R2的噪聲，提高超寬帶低噪聲放大器整體的噪聲性能。

2.如權利要求1所述的超寬帶低噪聲放大器，其特征在于反饋MOS管M3采用NMOS管。

3.如權利要求1所述的超寬帶低噪聲放大器，其特征在于反饋MOS管M3、偏置MOS管M4和第一放大管M1的溝道長度，均使用CMOS生產(chǎn)工藝中規(guī)定的最小尺寸，以減小寄生電容，改善頻率特性和匹配性能。

4.如權利要求1所述的超寬帶低噪聲放大器，其特征在于偏置MOS管M4的柵極通過第三偏置電阻R5接至電流源的偏置電壓vb2，用來減小偏置MOS管M4的柵漏寄生電容對輸入匹配的影響。

5.如權利要求1所述的超寬帶低噪聲放大器，其特征在于第一放大管M1的柵極連接第一偏置電阻R1的一端，R1的另一端連接至第一級放大電路的偏置電壓vb1；第一放大管M1的漏極連接第一負載電阻R2的一端，R2的另一端連接到電源vdd；第一放大管M1的源極接地。

6.如權利要求1所述的超寬帶低噪聲放大器，其特征在于第二放大管M2的柵極接第二偏置電阻R3的一端，R3的另一端接第二級放大電路偏置電壓vb3；第二放大管M2的漏極接第二負載電阻R4的一端，R4的另一端接并聯(lián)峰值電感L1的一端，L1的另一端接電源vdd；第二放大管M2的源極接地。