[發明專利]振蕩器的修調裝置及方法在審
| 申請號: | 201711068338.0 | 申請日: | 2017-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN107659309A | 公開(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發明(設計)人: | 石萬文;雷紅軍 | 申請(專利權)人: | 蘇州華芯微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H03L7/18 | 分類號: | H03L7/18;G06F8/65;H04B1/30 |
| 代理公司: | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 振蕩器 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路領域,具體涉及一種振蕩器的修調裝置及方法。
背景技術
超再生接收機是一種根據超再生振蕩器的起振時間的快慢來識別輸入信號強弱的裝置,超再生振蕩器一般采用LC振蕩器。超再生振蕩器的起振時間一般由輸入信號的強弱、輸入信號的頻率與超再生LC振蕩器諧振頻率間的差值、超再生LC振蕩器本身的電特性參數等多個因素共同決定。在超再生LC振蕩器本身的電特性參數相同的情況下,輸入信號的頻率與超再生LC振蕩器諧振頻率間的差值越小,就越能識別更微弱的輸入信號,從而提高接收靈敏度。大部分的無線信號傳輸都是采用特定的頻率,比如315M赫茲、433.92M赫茲等,當超再生LC振蕩器諧振頻率與該特定頻率間的差值越小,超再生振蕩器就越容易起振,越能識別更微弱的輸入信號,接收靈敏度也越高。
超再生LC振蕩器的諧振頻率為:f=1/[2π(LC)0.5]。
為了盡量減小超再生LC振蕩器諧振頻率與選定的特定頻率間的差值,在傳統的實際批量生產中,超再生LC振蕩器的L(電感)放在芯片外部,該電感采用可調電感,為了保證批量生產中此頻率差值的精度和一致性,在傳統的生產中通過人工調節每個產品的可調電感的感值來達到此目的。但此種方法需要大量的人力,對生產方的組織能力、生產環境、工作時長等要求很高,且人工方法無法保證品質的一致性和穩定性,產量也受制于工人的數量和技術熟練度,成本也高。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明的主要目的在于:提出一種采用自動修調的方法及裝置來保證批量生產中超再生LC振蕩器諧振頻率與該特定頻率間的差值的精度和一致性,使用自動測試、燒錄設備來替代人工,從而提升產品良率,降低綜合成本。
為實現前述目的,一方面,本發明公開了一種振蕩器的修調裝置,包括超再生接收芯片和測試、燒錄設備,所述超再生接收芯片包括頻率修調模塊、超再生LC振蕩器、分頻模塊、存儲器;
具體地:
測試、燒錄設備用于發送測試、燒錄信號和向頻率修調模塊發送修調信息;
頻率修調模塊與存儲器和超再生LC振蕩器相連,用于調整超再生LC振蕩器的諧振頻率范圍;
超再生LC振蕩器與分頻模塊相連,用于向分頻模塊發送振蕩頻率;
分頻模塊,用于接收超再生LC振蕩器的振蕩頻率,將所述振蕩頻率分頻后發送至測試、燒錄設備;
其中,所述存儲器在芯片斷電后仍然可保存信息。
優選地,所述超再生LC振蕩器包括主振電路,電容陣列模塊,芯片外電感。
優選地,所述超再生LC振蕩器包括主振電路,電容陣列模塊,電感及部分芯片外電容陣列。
優選地,頻率修調模塊通過調節電容陣列的容值調整超再生LC振蕩器的頻率。
優選地,所述存儲器類型包括OTP、MTP、EEPROM。
另一方面,本發明還公開了一種振蕩器的修調方法,包括以下步驟:
S1.測試、燒錄設備向超再生接收芯片發送進入測試模式的信號,超再生接收芯片接收到所述測試模式信號后,進入測試模式;
S2.在測試模式下,超再生LC振蕩器由正常模式下的間隙振蕩狀態變為持續振蕩狀態,產生高頻振蕩頻率;
S3.所述高頻振蕩頻率經分頻模塊分頻后,降低頻率輸出給測試、燒錄設備;
S4.測試、燒錄設備根據所述超再生接收芯片發出的頻率值,產生預修調信息發送至頻率修調模塊;
S5.所述頻率修調模塊根據所述預修調信息調整所述超再生LC振蕩器的頻率,并將調整后的頻率經分頻模塊分頻后返回到測試、燒錄設備;
S6.測試、燒錄設備判斷所述返回的頻率值是否達到目標頻率范圍,若是,則向超再生接收芯片發送進入燒錄模式的信號,超再生接收芯片進入燒錄模式;若否,則返回步驟S4;
S7.燒錄模式下,將當前的頻率修調信息燒錄到存儲器中;
S8.當芯片正常工作時,讀取存儲器中的頻率修調信息,通過頻率修調模塊調整超再生LC振蕩器的頻率。
優選地,在燒錄成功后,步驟S8之前,還包括復測超再生LC振蕩器的頻率。
優選地,測試、燒錄設備通過頻率修調模塊將所述頻率修調信息燒錄到存儲器中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州華芯微電子股份有限公司,未經蘇州華芯微電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711068338.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





