[發明專利]一種雙級孔分布ZSM-35分子篩及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201711067853.7
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN109748293B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 任行濤;賈志光;楊光;吳凱;趙嵐
• 申請（專利權）人: 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司北京化工研究院
• 主分類號: C01B39/44
• 分類號: C01B39/44
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;方莉

1.一種雙級孔分布ZSM-35分子篩，其分布著孔徑為0.5-0.8nm的孔和孔徑為1.2-2.0nm的孔；

雙級孔分布ZSM-35分子篩的制備方法，包括：

步驟A，在反應釜內將由硅源、鋁源、堿源、模板劑和水混合均勻，制得的膠體混合物溶液進行晶化，獲得ZSM-35分子篩晶化母液；

步驟B，晶化完成后，自晶化的溫度降溫至泄壓的溫度，打開反應釜的放空口進行泄壓，獲得泄壓后的ZSM-35分子篩晶化母液；

步驟C，對泄壓后的ZSM-35分子篩晶化母液進行抽濾、洗滌、干燥，制得雙級孔分布ZSM-35分子篩原粉；

其中，所述泄壓溫度為130-200℃。

2.根據權利要求1所述的雙級孔分布ZSM-35分子篩，其特征在于，在所述雙級孔分布ZSM-35分子篩中，孔徑為0.5-0.8nm的孔與孔徑為1.2-2.0nm的孔的體積比為1:(0.1-1.2)。

3.一種雙級孔分布ZSM-35分子篩的制備方法，包括：

步驟A，在反應釜內將由硅源、鋁源、堿源、模板劑和水混合均勻，制得的膠體混合物溶液進行晶化，獲得ZSM-35分子篩晶化母液；

步驟B，晶化完成后，自晶化的溫度降溫至泄壓的溫度，打開反應釜的放空口進行泄壓，獲得泄壓后的ZSM-35分子篩晶化母液；

步驟C，對泄壓后的ZSM-35分子篩晶化母液進行抽濾、洗滌、干燥，制得雙級孔分布ZSM-35分子篩原粉；

其中，所述泄壓溫度為130-200℃；所述雙級孔分布ZSM-35分子篩中分布著孔徑為0.5-0.8nm的孔和孔徑為1.2-2.0nm的孔。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在步驟B中，降溫10-60℃。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在步驟B中，降溫20-50℃。

6.根據權利要求4或5所述的方法，其特征在于，在步驟B中，所述降溫的速度為0.1-5℃/min。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟B中，所述降溫的速度為0.25-1.5℃/min。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在步驟B中，所述降溫的速度為0.5-1℃/min。

9.根據權利要求3-5中任意一項所述的方法，其特征在于，在步驟B中，泄壓的起始壓力為0.6-1.37MPa；和/或，泄壓的時間為2-8h；和/或，泄壓至反應釜內的壓力為常壓。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，泄壓的時間為3-5h。

11.根據權利要求3-5中任意一項所述的方法，其特征在于，所述模板劑選自吡啶、乙二胺、環已胺、吡咯烷和哌腚中的一種或幾種；和/或，所述鋁源選自硫酸鋁、擬薄水鋁石和鋁酸鈉中的一種或幾種；和/或，所述硅源選自硅溶膠、硅酸、白炭黑、硅酸鈉和正硅酸乙酯中的一種或幾種。

12.根據權利要求3-5中任意一項所述的方法，其特征在于，所述雙級孔分布ZSM-35分子篩中，孔徑為0.5-0.8nm的孔與孔徑為1.2-2.0nm的孔的體積比為1:(0.1-1.2)。

13.如權利要求1或2所述的雙級孔分布ZSM-35分子篩或如權利要求3-12中任意一項所述的方法制備的雙級孔分布ZSM-35分子篩在低碳烴異構化反應中的應用。