[發明專利]新型可編程芯片電路

有效

• 申請號: 201711067133.0
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN109753013B
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 趙凱;俞軍;李建忠;俞劍;徐烈偉;于芳
• 申請（專利權）人: 上海復旦微電子集團股份有限公司
• 主分類號: G06F1/3296
• 分類號: G06F1/3296
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 潘彥君;吳敏

1.一種新型可編程芯片電路，其特征在于，包括：背偏恒定電路和背偏可調電路，其中：

所述背偏恒定電路，與所述背偏可調電路耦接，包括：配置模塊、全局信號生成模塊和專用I/O模塊，其中：所述配置模塊，適于下載配置文件，并進行參數配置；所述全局信號生成模塊，適于生成全局信號，所述全局信號包括：全局電源信號、全局電壓信號和全局地信號；

所述背偏可調電路包括：一個或者多個相互耦接的背偏可調功能模塊，所述背偏可調功能模塊適于生成背偏信號，并基于所述背偏信號調節所述背偏可調功能模塊的工作模式。

2.根據權利要求1所述的新型可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏可調功能模塊包括：相互耦接的背偏信號生成子模塊和功能子模塊，其中所述背偏信號生成子模塊，適于生成背偏信號，并基于所述背偏信號和所述全局信號調節所述功能子模塊的工作模式。

3.根據權利要求2所述的新型可編程芯片電路，其特征在于，相鄰的所述背偏可調功能模塊共用一個所述背偏信號生成子模塊。

4.根據權利要求2所述的新型可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏信號生成子模塊包括：生成子模塊，第一控制子模塊和第二控制子模塊，其中：所述生成子模塊，適于生成與所述全局電壓信號取值相反的負電壓信號，所述負電壓信號、所述全局地信號和所述全局電壓信號共同作為所述背偏信號；

所述第一控制子模塊，適于當所述功能子模塊需要高性能時，設置所述功能子模塊的NMOS管的背偏壓為所述全局電壓信號，所述功能子模塊的PMOS管的背偏壓為所述負電壓信號，調節所述功能子模塊處于高功耗工作模式；

所述第二控制子模塊，適于當所述功能子模塊需要低性能時，設置所述功能子模塊的NMOS管的背偏壓為所述負電壓信號，所述功能子模塊的PMOS管的背偏壓為所述全局電壓信號，調節所述功能子模塊處于低功耗工作模式。

5.根據權利要求4所述的新型可編程芯片電路，其特征在于，所述全局電壓信號為以下至少一個：I/Q電壓信號、內核電壓信號。

6.根據權利要求2所述的新型可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏可調功能模塊還包括：使能子模塊，適于根據使能信號，打開或者關閉所述背偏信號生成子模塊。

7.根據權利要求6所述的新型可編程芯片電路，其特征在于，所述使能子模塊包括：設置子模塊，適于當所述使能子模塊關閉所述背偏信號生成子模塊時，設置所述功能子模塊的NMOS管的背偏壓和PMOS管的背偏壓均為所述全局地信號，調節所述功能子模塊至靜態等待工作模式。

8.根據權利要求1至7任一項所述的新型可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏可調電路包括：相互耦接的背偏可調邏輯模塊、背偏可調專用模塊和背偏可調I/O模塊，其中所述背偏可調邏輯模塊、所述背偏可調專用模塊和所述背偏可調I/O模塊均為獨立的所述背偏可調功能模塊。

9.根據權利要求8所述的新型可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏可調功能模塊還包括：識別子模塊和選擇子模塊，其中：

所述識別子模塊，適于識別目標電路中的所述背偏信號，并將對應相同的所述背偏信號的所述背偏可調功能模塊對應的程序代碼放置于相同的所述背偏可調邏輯模塊中；

所述選擇子模塊，適于根據所述背偏可調功能模塊的性能需求選擇對應的所述背偏信號。

10.根據權利要求1所述的新型可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏恒定電路還包括：設置模塊，適于設置所述背偏恒定電路的NMOS管的背偏壓和PMOS管的背偏壓均為所述全局地信號。