[發(fā)明專利]用于桿狀金屬零件表面的真空鍍膜裝置及鍍膜方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711066320.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107620050A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚華光 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽普威達(dá)真空科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/08 |
| 代理公司: | 合肥順超知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)34120 | 代理人: | 俞強(qiáng) |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 桿狀 金屬 零件 表面 真空鍍膜 裝置 鍍膜 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及金屬工件防腐蝕技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及用于桿狀金屬零件表面的真空鍍膜裝置及鍍膜方法。
背景技術(shù)
金屬工件腐蝕所造成的工件失效和材料損失一直是工程技術(shù)領(lǐng)域最重要的研究課題之一,電鍍金屬層(鋅、鉻、鎳等)作為防腐蝕鍍層已經(jīng)得到了廣泛應(yīng)用并取得了良好效果。然而近年來(lái),電鍍廢液帶來(lái)的環(huán)境及材料浪費(fèi)問(wèn)題受到了越來(lái)越多的重視,開(kāi)發(fā)新型無(wú)污染、節(jié)能且節(jié)約原材料的金屬工件防腐蝕方法刻不容緩。
氣相沉積是一大類在真空條件下完成的表面處理和鍍膜的方法。磁控濺射(和空心陰極放電作為其中的兩種方法,均得到了廣泛地應(yīng)用。磁控濺射方法利用磁場(chǎng)的電子運(yùn)動(dòng),使濺射靶材可以在“高速、低溫”條件下被濺射到工件的表面;空心陰極放電利用等離子體放電時(shí)管狀內(nèi)表面附近形成的“等離子體鞘層”,使內(nèi)表面附近的氣體分子離化率得到大大提高。
利用磁控濺射方法和空心陰極放電方法鍍制防腐蝕鍍層已在生產(chǎn)實(shí)踐中得到了應(yīng)用。如利用磁控濺射方法存在如下的缺點(diǎn):沉積速率較低,鍍層結(jié)合力較低,靶材利用率低,且容易污染真空室內(nèi)其它結(jié)構(gòu)。另外,磁控濺射通常使用平面靶材及平面濺射源,工件需要復(fù)雜的轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)才能在回轉(zhuǎn)表面上鍍制所需要的鍍層;利用空心陰極放電方法,由于采用的是化學(xué)氣相沉積的辦法,該方法可以在回轉(zhuǎn)表面上均勻鍍制相應(yīng)鍍層。然而,化學(xué)氣相方法能鍍制的材料種類有限,且需要較高溫度,所以此類方法的應(yīng)用也受到了限制。
發(fā)明內(nèi)容
(一)解決的技術(shù)問(wèn)題
本發(fā)明目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,而提供了桿狀金屬零件表面的真空鍍膜裝置及鍍膜方法,兩靶交替進(jìn)行工作,避免了靶材中毒的情況,兼具磁控濺射和空心陰極放電的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)避免它們的應(yīng)用缺點(diǎn)。
(二)技術(shù)方案
用于桿狀金屬零件表面的真空鍍膜裝置,包括磁控濺射源及濺射電源;所述磁控濺射源包括套筒、端面法蘭、絕緣法蘭及定位法蘭;所述套筒包括結(jié)構(gòu)相同且對(duì)稱設(shè)置的左套筒和右套筒,相對(duì)端設(shè)置有端面法蘭,端面法蘭之間設(shè)置有絕緣法蘭,兩側(cè)的端面法蘭和中間的絕緣法蘭通過(guò)螺栓和螺母壓緊連接,絕緣法蘭和端面法蘭之間還設(shè)置有密封件;所述左套筒和右套筒的外端也設(shè)置有端面法蘭,端面法蘭內(nèi)側(cè)設(shè)置有防濺套,端面法蘭外側(cè)設(shè)置有過(guò)渡法蘭,過(guò)渡法蘭和端面法蘭之間設(shè)置有絕緣法蘭,絕緣法蘭與過(guò)渡法蘭和端面法蘭之間還設(shè)置有密封件,絕緣法蘭、過(guò)渡法蘭和端面法蘭通過(guò)螺栓和螺母壓緊連接;所述過(guò)渡法蘭外側(cè)還連接有定位法蘭,定位法蘭的法蘭盤螺栓連接成型,之間設(shè)置有密封件;所述套筒分為外層的外筒和內(nèi)側(cè)的內(nèi)筒,外筒和內(nèi)筒之間設(shè)置有多圈環(huán)形磁鐵;所述內(nèi)筒內(nèi)壁上設(shè)置有濺射靶材;所述過(guò)渡法蘭還設(shè)置有通氣接口。
優(yōu)選的,還包括兩根桿狀金屬零件,所述桿狀金屬零件分別穿過(guò)左右的定位法蘭、過(guò)渡法蘭、端面法蘭伸入對(duì)應(yīng)的內(nèi)筒,桿狀金屬零件與定位法蘭之間也設(shè)置有密封件。
優(yōu)選的,還包括偏壓電源,偏壓電源一極連接桿狀金屬零件,另一極連接定位法蘭。
優(yōu)選的,所述濺射電源為交變電源或脈沖電源,一極連接左套筒,另一極連接右套筒。
優(yōu)選的,所述防濺套與濺射靶材材料相同,防濺套內(nèi)徑與桿狀金屬零件外徑對(duì)應(yīng)。
優(yōu)選的,所述絕緣法蘭為聚四氟乙烯材料,所述密封件為膠圈。
用于桿狀金屬零件表面的真空鍍膜方法,包括以下步驟:
S1,對(duì)桿狀金屬零件進(jìn)行清洗;
S2,將桿狀金屬零件進(jìn)行裝夾入上述真空鍍膜裝置;
S3,對(duì)上述真空鍍膜裝置抽真空;
S4,對(duì)桿狀金屬零件進(jìn)行等離子體清洗并加熱;
S5,采用空心陰極磁控濺射方法在桿狀金屬零件表面鍍制耐腐蝕鍍層。
優(yōu)選的,所述步驟5中,通入氬氣,將內(nèi)筒內(nèi)部氣壓控制在0.1~2Pa范圍,利用偏壓電源將桿狀金屬零件置于45~200V的負(fù)電壓,接通濺射電源,在250V~600V范圍進(jìn)行濺射鍍膜,鋁膜的厚度控制在2~20微米范圍。
優(yōu)選的,所述步驟5中,通入氬氣,將內(nèi)筒內(nèi)部氣壓控制在0.1~2Pa范圍,利用偏壓電源將桿狀金屬零件置于45~200V的負(fù)電壓,接通濺射電源,在250V~600V范圍先鍍制鋁膜,鋁膜的厚度控制在3~15微米范圍;當(dāng)鋁膜鍍制完成后,保持偏壓電源和濺射電源的電壓和內(nèi)筒氣壓,逐步增加氧氣含量并降低氬氣含量,直到氧氣含量占?xì)怏w總量的25%~55%;穩(wěn)定濺射一段時(shí)間后,再逐步降低氧氣含量并增加氬氣含量,直到氧氣含量降到零為止,氧化鋁層的厚度控制在0.1~0.5微米。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





