[發(fā)明專(zhuān)利]基于周期性電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的光制冷集成電路系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711065253.7
• 申請(qǐng)日: 2017-11-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107833868B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張也平;艾杰;向艷軍;馬烈華;李濤;馬景芳
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)工程物理研究院流體物理研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/34
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/34
• 代理公司: 51213 四川省成都市天策商標(biāo)專(zhuān)利事務(wù)所
• 代理人: 劉興亮;李潔

1.一種基于周期性電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的光制冷集成電路系統(tǒng)，其特征在于，包括：

集成電路區(qū)，以及位于集成電路周?chē)墓庵评鋮^(qū)，所述的光制冷區(qū)具有以下結(jié)構(gòu)：

所述的光制冷區(qū)為縱向DBR腔，包括：多層周期性介質(zhì)層和位于多層周期性介質(zhì)層之間的集成電路區(qū)；所述多層周期性介質(zhì)層，由交替的多層高折射率和低折射率材料組成；所述集成電路區(qū)為多層集成電路層，采用3D裸片堆疊技術(shù)，裸片包括有源表面和襯底；所述有源表面將多個(gè)層間電路通道耦合在一起；所述層間電路通道在所述裸片間隙之間形成；所述襯底，用于支撐電路結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于周期性電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的光制冷集成電路系統(tǒng)，其特征在于：

所述多層周期性介質(zhì)層厚度為300nm-400nm；多層周期性介質(zhì)層是由AlN和GaN兩種材料交替而成，其折射率分別為2.30和2.43。