[發明專利]一種磁性半導體材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201711063585.1 | 申請日： | 2017-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN107887098B | 公開（公告）日： | 2020-01-07 |
| 發明（設計）人： | 靳常青;張俊;望賢成 | 申請（專利權）人： | 中國科學院物理研究所 |
| 主分類號： | H01F1/40 | 分類號： | H01F1/40;H01F41/00 |
| 代理公司： | 11280 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磁性 半導體材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種一維磁性半導體材料，其化學式為M9V3X15，其中，M為Ca、Sr和Ba中的一種或多種，V表示化學元素釩，以及X為硫族元素S、Se和Te中的一種或多種。
2.根據權利要求1所述的一維磁性半導體材料，其化學式為Ba9V3Se15或Ba9V3Te15。
3.一種根據權利要求1所述的一維磁性半導體材料的制備方法，包括如下步驟：
步驟一：將金屬M的顆粒和X的粉末按照化學計量比1:1混合，在真空或惰性氣體環境中加熱到400-800℃，保溫5-80小時，得到MX粉末；
步驟二：將步驟一得到的MX粉末、V粉末、X粉末按照摩爾比3：1：2混合，然后通過壓片機壓成預定形狀；
步驟三：將步驟二獲得的具有預定形狀的混合物置于壓機中，使壓力升至3-20GPa，溫度升至1000℃-1500℃，然后保溫40min-120min；以及
步驟四：將壓機內溫度降為室溫，釋放壓力至大氣壓，得到樣品M9V3X15。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其中，在步驟一中，還包括將金屬M的顆粒和X的粉末的混合物置于陶瓷容器中，然后將所述陶瓷容器置于真空度Pa<10-3或填充有惰性氣體的石英管中并密封，然后加熱。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其中，所述陶瓷容器為陶瓷坩堝。
6.根據權利要求3-5中任一項所述的制備方法，其中，在步驟一中，加熱到700℃，保溫20小時。
7.根據權利要求3所述的制備方法，其中，在步驟二中，所述預定形狀為圓柱形。
8.根據權利要求3所述的制備方法，其中，在步驟三中，所述壓機為六面頂壓機或二級推進壓機。
9.根據權利要求3所述的制備方法，其中，在步驟三中，壓力以0.5-2GPa/min的速率上升，溫度以100-400℃/min的速率上升。
10.根據權利要求3所述的制備方法，其中，在步驟四中，壓機的卸壓速率為0.3-1.0GPa/min，降溫方式為自然冷卻。
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