[發明專利]靜電夾盤及其制造方法

在審

• 申請號: 201711062566.7
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN107833850A
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: S·撒奇;D·盧博米爾斯基;J·Y·孫;K·馬赫拉切夫
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 楊學春,侯穎媖

1.一種靜電夾盤，所述靜電夾盤包含：

導熱基座；

數個加熱元件，所述數個加熱元件在所述導熱基座中，其中所述數個加熱元件包含數個主要加熱元件及數個輔助加熱元件，其中所述數個輔助加熱元件的功率低于所述數個主要加熱元件；

金屬層，所述金屬層覆蓋所述導熱基座的至少一部分；以及

抗等離子體介電層，所述抗等離子體介電層覆蓋所述金屬層。

2.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述數個輔助加熱元件比所述數個主要加熱元件更靠近所述導熱基座的上表面。

3.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述抗等離子體介電層選自由Y₂O₃、Y₄Al₂O₉、Y₃Al₅O₁₂、YAlO₃、Y₂O₃穩定的ZrO₂、Y₂O₃-ZrO₂固溶體、以及包含Y₄Al₂O₉及Y₂O₃-ZrO₂的固溶體的陶瓷化合物組成的群組。

4.如權利要求3所述的靜電夾盤，其中所述抗等離子體介電層摻雜有ZrO₂、Al₂O₃、SiO₂、B₂O₃、Er₂O₃、Nd₂O₃、Nb₂O₅、CeO₂、Sm₂O₃以及Yb₂O₃中的一或更多者。

5.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述金屬層使所述數個加熱元件免受射頻耦合，且所述金屬層用作所述靜電夾盤的電極。

6.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述數個輔助加熱元件被安置在形成于所述導熱基座的上表面中的數個凹槽中，且被包裹在介電材料中，所述介電材料填充所述數個凹槽。

7.如權利要求6所述的靜電夾盤，其中所述介電材料選自由Al₂O₃、AlN、TiO、SiC、Y₂O₃以及MgO組成的群組。

8.如權利要求6所述的靜電夾盤，其中所述金屬層覆蓋所述介電材料。

9.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述金屬層覆蓋所述導熱基座的上表面。

10.如權利要求9所述的靜電夾盤，其中所述金屬層進一步覆蓋所述導熱基座的側壁。

11.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述金屬層用作夾持電極及射頻電極兩者。

12.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述金屬層具有20-50密耳的厚度。

13.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述抗等離子體介電層具有10-20密耳的厚度。

14.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述抗等離子體介電層具有150微米至1毫米的厚度。

15.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中在處理期間，所述數個加熱元件使所述靜電夾盤維持所支撐基板上小于0.5攝氏度的溫度變化。

16.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述輔助加熱元件選自由鉬、鋁、鎢、以及它們的組合組成的群組。

17.如權利要求1所述的靜電夾盤，其中所述導熱基座包含金屬。