[發明專利]一種集成式紅外探測裝置的制備方法在審
| 申請號: | 201711062485.7 | 申請日: | 2017-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN107946328A | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發明(設計)人: | 劉銘;喻松林;周立慶;孫浩;周朋;王靜 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G01V8/10 |
| 代理公司: | 工業和信息化部電子專利中心11010 | 代理人: | 于金平 |
| 地址: | 100015*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 集成 紅外 探測 裝置 制備 方法 | ||
1.一種集成式紅外探測裝置的制備方法,其特征在于,包括:
獲取探測器芯片的布局版圖,得到凝視面陣版圖和掃描線陣版圖;
確定凝視成像讀出電路和掃描成像讀出電路,將所述凝視成像讀出電路和掃描成像讀出電路分別依據所述凝視面陣版圖和掃描線陣版圖,拼版至讀出電路芯片上;
將所述探測器芯片和所述讀出電路芯片進行倒裝互聯,獲得互聯芯片;
將所述互聯芯片進行杜瓦封接獲得集成式紅外探測裝置。
2.根據權利要求1所述的集成式紅外探測裝置的制備方法,其特征在于,在獲取探測器芯片的布局版圖之前,還包括制作所述探測器芯片;所述制作探測器芯片包括:
在碲鋅鎘襯底生長長波碲鎘汞層;
對所述長波碲鎘汞層通過P型退火獲得p型層,并對所述p型層表面進行腐蝕及鈍化處理,產生鈍化膜;
根據所述布局版圖在帶有鈍化膜的p型層上進行光刻,形成凝視掃描陣列注入區,再通過B+注入獲得n區,形成pn結;
設置接觸電極。
3.根據權利要求2所述的集成式紅外探測裝置的制備方法,其特征在于,所述將所述探測器芯片和所述讀出電路芯片進行倒裝互聯之前,包括:
在所述探測器芯片的所述接觸電極上設置銦柱生長孔陣列;
在所述銦柱生長孔陣列上制備銦柱陣列。
4.根據權利要求3所述的集成式紅外探測裝置的制備方法,其特征在于,所述將所述探測器芯片和所述讀出電路芯片進行倒裝互聯,具體包括:
通過所述布局版圖在所述探測器芯片上繪制出與所述讀出電路芯片上的凝視成像讀出電路和掃描成像讀出電路相對應的對準記號;
將所述探測器芯片和讀出電路芯片依據所述對準記號通過所述銦柱陣列進行倒裝互聯。
5.根據權利要求1所述的集成式紅外探測裝置的制備方法,其特征在于,所述凝視成像讀出電路和掃描成像讀出電路均設置成單邊引出線的結構,以減小所述凝視成像讀出電路和掃描成像讀出電路之間拼縫的大小。
6.根據權利要求1所述的集成式紅外探測裝置的制備方法,其特征在于,所述掃描成像讀出電路包括輸入級Ⅰ、掃描電路TDI、輸出級Ⅰ、偏置電路和數字控制電路Ⅰ;
所述掃描電路TDI與像元陣列接合;
所述輸出級Ⅰ包括列選放大器和輸出緩沖放大器,列選放大器在數字控制電路Ⅰ的控制下按序輸出,輸出緩沖放大器采用兩級運放的結構;
所述數字控制電路Ⅰ包括時序生成模塊和串行數據模塊,所述時序生成模塊產生線列工作和信號傳遞的時序,所述串行數據模塊生成數據字和控制字。
7.根據權利要求1所述的集成式紅外探測裝置的制備方法,其特征在于,所述凝視成像讀出電路包括輸入級Ⅱ、列處理電路、輸出級Ⅱ和數字控制電路Ⅱ;
所述列處理電路與像元陣列接合,用于將電荷轉換成電壓;
所述輸出級Ⅱ由兩級輸出級緩沖器組成;
所述數字控制電路Ⅱ用于生成凝視成像讀出電路內部工作所需要的信號,從而控制信號逐行逐列輸出。
8.根據權利要求3所述的集成式紅外探測裝置的制備方法,其特征在于,所述銦柱陣列中的每個銦柱與像元陣列中的每個像元一一對應設置。
9.根據權利要求3所述的集成式紅外探測裝置的制備方法,其特征在于,所述銦柱陣列中的每個銦柱回熔成銦縮球結構。
10.根據權利要求7所述的集成式紅外探測裝置的制備方法,其特征在于,所述列處理電路采用“乒乓”結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國電子科技集團公司第十一研究所,未經中國電子科技集團公司第十一研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711062485.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





