[發明專利]一種封裝結構及封裝方法

在審

• 申請號: 201711059709.9
• 申請日: 2017-11-01
• 公開（公告）號: CN109755262A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 何志宏;林正忠;林章申
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：

復合芯片，所述復合芯片包括介質層及結合于所述介質層第一面的電路層；且所述介質層還包括與所述第一面相對的第二面；所述介質層橫向劃分為感應區及邏輯區；所述感應區內包括若干溝槽隔離結構；

聚光層，所述聚光層位于所述介質層第二面；所述聚光層包括像素元件，所述像素元件的位置對應于所述感應區。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述復合芯片包括多個所述感應區及所述邏輯區。

3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述像素元件與所述介質層第二面之間還包括吸收層、抗反射層中的一種或組合。

4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述聚光層自上而下還包括透光層及連接層。

5.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于：所述連接層包裹所述像素元件上表面及側邊。

6.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于：所述連接層連接所述透光層及所述介質層并形成腔室，所述像素元件位于所述腔室中。

7.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述像素元件包括微透鏡層及濾光層。

8.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述封裝結構還包括重新布線層，所述重新布線層包括第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面，所述重新布線層包括外延層以及金屬布線層。

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于：所述電路層與所述重新布線層第二表面的所述金屬布線層電連接。

10.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于：所述封裝結構還包括金屬凸塊，所述金屬凸塊形成于所述重新布線層第一表面上。

11.一種封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括：

提供晶圓級復合芯片；所述晶圓級復合芯片包括介質層及結合于所述介質層第一面的電路層，且所述介質層還包括與所述第一面相對的第二面；所述介質層橫向劃分為感應區及邏輯區；

于所述感應區內形成若干溝槽隔離結構；

于所述介質層第二面形成聚光層，所述聚光層包括像素元件，所述像素元件的位置對應于所述感應區；

切割所述晶圓級復合芯片，得到多個復合芯片封裝結構。

12.根據權利要求11所述的封裝方法，其特征在于：還包括在所述感應區內形成光電轉換結構，所述光電轉換結構包括光電二極管。

13.根據權利要求11所述的封裝方法，其特征在于：還包括在所述像素元件與所述介質層第二面之間形成吸收層、抗反射層中的一種或組合。

14.根據權利要求11所述的封裝方法，其特征在于：所述聚光層自上而下還包括透光層及連接層。

15.根據權利要求14所述的封裝方法，其特征在于：采用粘合法形成所述連接層，所述連接層包裹所述像素元件上表面及側邊。

16.根據權利要求14所述的封裝方法，其特征在于：采用焊接掩膜法形成所述連接層，所述連接層連接所述透光層及所述介質層第二面并形成腔室，所述像素元件位于所述腔室中。