[發明專利]一種FRGPP芯片玻鈍前多重擴散工藝

有效

• 申請號: 201711059107.3
• 申請日: 2017-11-01
• 公開（公告）號: CN109755118B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 梁效峰;徐長坡;陳澄;楊玉聰;李亞哲;黃志煥;王曉捧;王宏宇;王鵬
• 申請（專利權）人: 天津環鑫科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/228
• 分類號: H01L21/228;H01L21/268;H01L21/306;H01L21/329
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種FRGPP芯片玻鈍前多重擴散工藝，其特征在于，包括如下步驟：

S1磷硼一次擴散制絨，對擴散前處理后的硅片一面擴散磷擴散源，另一面擴散硼擴散源或硼鋁擴散源，并進行硅片制絨，所述一次擴散制絨，包括步驟：

S1-1擴散前處理，對硅片進行減薄；

S1-2磷硼一次擴散，對擴散前處理的硅片一面擴散磷擴散源，另一面擴散硼擴散源或硼鋁擴散源，放入爐內擴散；

S1-3制絨，使得硅片表面的粗糙度增加，為硅片后續玻鈍工藝中保護膠的涂覆提供涂覆基礎，所述制絨為濕法制絨或激光制絨，所述激光制絨，具體包括以下步驟：

B1.去除擴散后硅片表面形成層：將擴散后的所述硅片置于玻璃腐蝕液中放置3-10min，將所述硅片進行清洗并甩干；

B2.激光制絨：清洗后的所述硅片使用激光在所述硅片表面掃描，將所述硅片光滑表面制成粗糙表面；

B3.制絨后清洗：所述硅片制絨后，設于HF溶液浸泡清洗，HF溶液清洗后進行溢水清洗并甩干；

S2鉑擴散，對磷硼一次擴散制絨后的硅片擴散鉑擴散源；

所述S2步驟鉑擴散包括步驟：

S2-1鉑擴散前處理，對磷硼一次擴散制絨后的硅片打砂并清洗；

S2-2鉑擴散，對鉑擴散前處理后的硅片單面鉑擴散；

S2-3鉑擴散后檢驗，對鉑擴散后的硅片進行trr測試。

2.根據權利要求1所述的FRGPP芯片玻鈍前多重擴散工藝，其特征在于：所述玻璃腐蝕液為氫氟酸銨、草酸、硫酸銨、甘油、硫酸鋇和熱純水按體積比例為6-10:8-15:20-30:4-15:10-22:110-120的比例混合形成的溶液。

3.根據權利要求1所述的FRGPP芯片玻鈍前多重擴散工藝，其特征在于：所述鉑擴散前處理包括擴硼面單面打砂。

4.根據權利要求1所述的FRGPP芯片玻鈍前多重擴散工藝，其特征在于：所述S2-2步驟鉑擴散包括步驟：

S2-2-1涂鉑擴散源：采用涂源工藝對打砂面涂鉑擴散源并烘干；

S2-2-2常壓擴散：所述硅片置于擴散爐內，所述擴散爐維持常壓。

5.根據權利要求1所述的FRGPP芯片玻鈍前多重擴散工藝，其特征在于：所述S2-3步驟鉑擴散后檢驗的檢驗標準是0.035μs≤trr≤0.50μs。

6.根據權利要求1所述的FRGPP芯片玻鈍前多重擴散工藝，其特征在于：所述S1-2步驟磷硼一次擴散，具體包括步驟：

S1-2-1印刷磷硼擴散源，采用絲網印刷技術對擴散前處理后的所述硅片一面印刷磷擴散源，另一面印刷硼擴散源或硼鋁擴散源，每印刷完一面所述硅片均需進行烘干；

S1-2-2將所述硅片兩面噴灑上Al2O3粉末或硅粉；

S1-2-3低壓擴散，所述硅片置于擴散爐內，將所述擴散爐內氣壓抽至負壓。

7.根據權利要求6所述的FRGPP芯片玻鈍前多重擴散工藝，其特征在于：所述低壓擴散為恒溫擴散，擴散溫度1250℃-1300℃。

8.根據權利要求1所述的FRGPP芯片玻鈍前多重擴散工藝，其特征在于：所述濕法制絨具體包括步驟：

A1.擴散后處理，清除擴散后硅片表面磷硼硅玻璃；

A2.將處理后的硅片置于50～70℃的第一級清洗液中放置3-10min，純水清洗10～20min；

A3.將硅片置于70～90℃的第二級清洗液中放置20-30min，純水清洗10～20min；

A4.將硅片置于70～90℃的第三級清洗液中放置3-10min，純水清洗10～20min；

A5.將清洗后的所述硅片甩干，并進行表面粗糙度測試。

9.根據權利要求8所述的FRGPP芯片玻鈍前多重擴散工藝，其特征在于：所述第一級清洗液為雙氧水、純水和質量分數為30％的氫氧化鉀溶液按照體積比為6～10:110～120:1～8的比例混合形成的溶液。