[發(fā)明專利]采用硅圖形襯底生長(zhǎng)氮化鎵外延方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711058981.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107910244B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 梁輝南 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大連芯冠科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/02 | 分類號(hào)： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 大連非凡專利事務(wù)所 21220 | 代理人： | 閃紅霞 |
| 地址： | 116023 遼寧省大連市高新*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 采用 圖形 襯底 生長(zhǎng) 氮化 外延 方法 | ||
1.一種采用硅圖形襯底外延生長(zhǎng)氮化鎵功率器件的方法，其特征在于按照如下步驟進(jìn)行：
a. 采用掩膜在硅襯底（1）上表面的橫向和豎向形成等距的多條SiO2線條（2），所述SiO2線條（2）高1~10μm、寬100~500μm，各SiO2線條（2）之間的間距為1~3cm, 縱向外延生長(zhǎng)被限制在由橫向和豎向形成等距的多條SiO2線條(2)限定的單個(gè)區(qū)域內(nèi)；
b. 采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法在硅襯底（1）的上表面由下至上依次生長(zhǎng)氮化鋁緩沖層（3）、鋁鎵氮漸變緩沖層（4）、氮化鎵緩沖層（5）、氮化鋁隔離層（6）及鋁鎵氮器件層（7），所述鋁鎵氮漸變緩沖層（4）由四層AlxGa1-xN構(gòu)成，由下至上每層AlxGa1-xN結(jié)構(gòu)的X值分別為0.8、0.6、0.4、0.2，所述鋁鎵氮漸變緩沖層(4)的厚度為3μm~4.5μm，所述氮化鎵緩沖層(5)的厚度為1μm~2μm，所述氮化鋁隔離層(6)的厚度為1nm~10nm，所述鋁鎵氮器件層(7)的厚度為20nm~40nm；
c. 按照?qǐng)D形化的所述SiO2線條（2）切割硅襯底（1），獲得氮化鎵功率器件。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
