[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制作方法、以及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711058392.7 | 申請日: | 2017-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN107845737B | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 冷傳利;李針英 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制作方法 以及 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
顯示基板,所述顯示基板包括至少一個顯示區(qū)域;
封裝所述顯示區(qū)域的封裝結構,所述封裝結構包括至少一層無機層和至少一層有機層,所述封裝結構采用先沉積各膜層再進行刻蝕的方法形成;
還包括:形成在所述封裝結構上的觸控結構,所述觸控結構包括觸控電極層和覆蓋所述觸控電極層的保護層;
所述封裝結構采用先沉積各膜層再以所述觸控結構作為掩膜進行刻蝕的方法形成。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述封裝結構的有機層采用噴墨打印工藝形成。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:位于所述顯示基板和所述封裝結構之間的刻蝕阻擋層。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述刻蝕阻擋層的厚度大于或等于10nm且小于或等于50nm。
5.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述刻蝕阻擋層的組成材料包括氧化鋁。
6.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述刻蝕阻擋層的厚度大于或等于10nm且小于或等于20nm。
7.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述刻蝕阻擋層的組成材料包括氧化鈦。
8.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
位于所述顯示基板和所述封裝結構之間的擋墻結構,所述擋墻結構包括第一擋墻和第二擋墻,所述第一擋墻圍繞所述顯示區(qū)域,以及所述第二擋墻圍繞所述第一擋墻。
9.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
位于所述顯示基板和所述擋墻結構之間的金屬走線,所述金屬走線圍繞所述顯示區(qū)域。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示基板還包括:數據線和像素電極,所述金屬走線與所述顯示基板的數據線同層,或者,所述金屬走線與所述顯示基板的像素電極同層。
11.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,所述金屬走線在垂直于所述顯示面板方向上的投影覆蓋所述第一擋墻;或者,
所述金屬走線在垂直于所述顯示面板方向上的投影覆蓋所述第一擋墻且與所述第二擋墻交疊;或者,
所述金屬走線在垂直于所述顯示面板方向上的投影覆蓋所述擋墻結構,以及所述金屬走線的邊界與所述第二擋墻的邊界平齊;或者,
所述金屬走線在垂直于所述顯示面板方向上的投影覆蓋所述擋墻結構,以及所述金屬走線的邊界超出所述第二擋墻的邊界。
12.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,所述金屬走線的邊界與所述封裝結構的邊界的距離大于或等于10微米。
13.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
形成在所述顯示基板上且與所述金屬走線同層設置的有機擋墻,所述有機擋墻圍繞所述金屬走線,所述有機擋墻在垂直于所述顯示面板方向上的投影與所述金屬走線交疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





