[發明專利]一種縮短三擴散片擴散時間的工藝有效
| 申請號： | 201711057816.8 | 申請日： | 2017-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN109755115B | 公開（公告）日： | 2021-12-14 |
| 發明（設計）人： | 黃志煥;李亞哲;徐長坡;陳澄;梁效峰;楊玉聰;王曉捧 | 申請（專利權）人： | 天津環鑫科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/223 | 分類號： | H01L21/223;H01L21/324 |
| 代理公司： | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 縮短 擴散 時間 工藝 | ||
1.一種縮短三擴散片擴散時間的工藝，其特征在于：主要包括以下步驟，
s1：將清洗后的擴散片進入預擴散爐中進行預擴散；
s2：將預擴散完成后的擴散片進入主擴散爐中進行主擴散；
s3：對主擴散完成后的擴散片進行主擴散后處理；
s4：對完成主擴散后處理的擴散片在所述預擴散爐內進行二次預擴散；
s5：對完成二次預擴散的擴散片在所述主擴散爐內進行二次主擴散；
所述步驟s1與所述步驟s2之間還包括預擴散后處理和主擴散前疊片，所述步驟s4與所述步驟s5之間還包括二次預擴散后處理和二次主擴散前疊片；
所述步驟s1對所述擴散片進行預擴散為進行三氯氧磷預擴散，具體包括以下步驟；
s10；確認三氯氧磷的溫度；
s11；確認預擴散爐的待機溫度及預擴散的工藝曲線；
s12；在所述預擴散爐內進行預擴散；
所述預擴散工藝曲線包括以下步驟：
s110：所述預擴散爐的溫度由900-1000℃升至1100-1300℃，升溫時間為30-60min；
s111：恒溫通入氧氣和氮氣，恒溫時間為5-20min；
s112：恒溫通入氧氣、大氮和小氮，恒溫時間為110-150min；
s113：恒溫通入氧氣和氮氣，恒溫時間為25-45min；
s114：所述預擴散爐溫度由1100-1300℃降至900-1000℃，降溫時間為100-130min，同時通入氧氣和氮氣；
所述步驟s2中的主擴散包括以下步驟：
s20：確認所述主擴散爐待機溫度為400-600℃，同時通入氧氣；
s21：將經過預擴散后處理的擴散片置于所述主擴散爐中，按照主擴散曲線進行主擴散；
s22：主擴散完成后進行出爐冷卻；
所述步驟s21中的主擴散曲線包括以下步驟：
s210：所述主擴散爐溫度由400-600℃升至1200-1400℃，升溫時間為5-8h；
s211：所述主擴散爐保持溫度為1200-1400℃，恒溫時間為40-50h；
s212：所述主擴散爐溫度降至400-600℃，降溫時間為2-5h；
所述預擴散后處理包括以下步驟：
將預擴散后的擴散片置于預擴散后處理容器內并置于酸溶液中浸泡，浸泡時間為5-10min，浸泡完成后進行沖水甩干；
所述主擴散前疊片主要包括以下步驟：將預擴散后處理后的擴散片撒上硅粉并放置于主擴散容器內；
所述二次預擴散包括所述步驟s1和所述預擴散后處理，所述二次主擴散包括依次進行所述主擴散前疊片和所述步驟s2，所述步驟s2中的恒溫時間為30-40h；
所述步驟s5之后還進行出爐測試和二次主擴散后處理，所述二次主擴散后處理與所述步驟s3相同。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
