[發明專利]一種采用印刷工藝制作FRGPP芯片的方法有效
| 申請號: | 201711057735.8 | 申請日: | 2017-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN109755117B | 公開(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發明(設計)人: | 梁效峰;徐長坡;陳澄;楊玉聰;李亞哲;黃志煥;王曉捧;王宏宇;王鵬 | 申請(專利權)人: | 天津環鑫科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/228 | 分類號: | H01L21/228;H01L21/329 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 300380 天津市西青區*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采用 印刷 工藝 制作 frgpp 芯片 方法 | ||
本發明涉及一種采用印刷工藝制作FRGPP芯片的方法,制備步驟包括硅片預處理,多重擴散,玻鈍印刷制圖,金屬化和測試分選,其中擴散步驟采用硅磷一次性負壓擴散,并采用濕法制絨,鉑擴散采用涂鉑源,玻鈍過程采用印刷的方式進行保護層和玻璃槳的涂布,簡化了玻鈍過程,增加了制備速率。與傳統方法比較,印刷工藝制作FRGPP芯片生產過程規模化、自動化、信息化、少人化;FRGPP芯片產品生產成本低、品質高、一致性高、市場兼容性好;印刷工藝效率高、精度高,替代現有工藝流程中涂覆、鍍膜、電泳等工藝,實現自動化少人化生產的同時,提升產品一致性,降低環保、安全風險。
技術領域
本發明屬于FRGPP芯片技術領域,尤其是涉及一種采用印刷工藝制作FRGPP芯片的方法。
背景技術
快恢復玻璃鈍化二極管(FRGPP)作為一種開關特性好、反向恢復時間短的半導體二極管,應用領域很廣范,主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中,市場前景廣闊,發展空間較大。
現行業中主要使用3種工藝用于生產FRGPP芯片:刀刮工藝、電泳工藝、光阻玻璃工藝,此三種工藝中,刀刮法FRGPP工藝簡單,成本低、但是焊接時因臺面邊緣及鈍化玻璃上無氧化膜保護,焊錫易流到玻璃上,可靠性會降低,應用時易失效;電泳工藝溝槽尖角有鈍化玻璃保護,可靠性相對較高,但是生產中鉑擴散后硅片的反向恢復時間(trr)性能不均勻,并且鉑擴散后需要氧化且氧化溫度高于鉑擴散溫度,導致反向恢復時間(trr)離散性更大,另外生產需要使用大量丙酮,存在安全隱患,相對成本較高;光阻玻璃法采用3層鈍化保護(SIPOS、玻璃、二氧化硅),反向電壓更高使用硅片電阻率范圍更寬、可靠性高,但是生產中需3次光刻,生產成本較高。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明提供一種采用印刷工藝制作FRGPP芯片的方法,在提高現有產品質量的基礎上進一步提高產能。
本發明采用的技術方案是:一種采用印刷工藝制作FRGPP芯片的方法,制備步驟包括:
S1多重擴散;
S2玻鈍印刷制圖;
S3金屬化。
其中,所述S1步驟多重擴散包括步驟:
S1-1磷硼一次擴散制絨;
S1-2鉑擴散。
以上技術方案,優選地,所述S1-2步驟鉑擴散包括步驟:
S1-2-1鉑擴散前處理;
S1-2-2鉑擴散;
S1-2-3鉑擴散后檢驗;
優選地,所述鉑擴散前處理包括擴硼面單面打砂;
所述S1-2-2步驟鉑擴散是采用涂源工藝對打砂面涂鉑擴散源,將多片涂布好的硅片以鉑擴散源面相對的方式放置,進行常壓擴散;
所述S1-2-3步驟鉑擴散后檢驗是對鉑擴散后的硅片進行trr測試。
以上技術方案,優選地,所述S1-1步驟磷硼一次擴散制絨包括步驟:
S1-1-1擴散前處理,對硅片進行減薄;
S1-1-2磷硼一次擴散,對擴散前處理的硅片一面擴散磷擴散源,另一面擴散硼擴散源或硼鋁擴散源,放入爐內擴散;
S1-1-3制絨,使得硅片表面的粗糙度增加,為硅片后續玻鈍工藝中保護膠的涂覆提供涂覆基礎。
優選地,所述磷硼一次擴散為負壓擴散;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





