[發明專利]一種硅片擴散后清洗工藝有效
| 申請號: | 201711057485.8 | 申請日: | 2017-11-01 | 
| 公開(公告)號: | CN109755099B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 | 
| 發明(設計)人: | 黃志煥;李亞哲;徐長坡;陳澄;梁效峰;楊玉聰;王曉捧 | 申請(專利權)人: | 天津環鑫科技發展有限公司 | 
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 | 
| 代理公司: | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 | 
| 地址: | 300380 天津市西青區*** | 國省代碼: | 天津;12 | 
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 擴散 清洗 工藝 | ||
1.一種硅片擴散后清洗工藝,其特征在于:具體包括以下步驟,
S1:對擴散后的硅片進行酸處理:將硅片浸泡于酸溶液中,所述硅片浸沒與所述酸溶液中,浸泡時間為36-60h,且每隔10-15h進行所述酸溶液更換,所述酸處理為氫氟酸處理,所述氫氟酸的濃度為49%-60%;對酸處理后的硅片進行溢水清洗,所述溢水清洗的時間為30-60min,且溢水清洗時的純水流量為4-10L/min;
S2:對所述酸處理的硅片進行混酸處理;所述混酸處理的具體步驟為:
S21:配置混酸溶液:將硝酸、氫氟酸、乙酸與純水按照體積比為2000-3000ml∶200-500ml∶100-300ml∶2000-3000ml進行配置;
S22:將硅片置于所述混酸溶液中進行腐蝕處理,腐蝕時間為10-30s;
S23:將經過混酸腐蝕處理的硅片進行純水清洗,清洗的時間為5-15min,純水的流量為4-10L/min;
S3:對所述混酸處理的硅片進行有機溶劑處理;所述有機溶劑處理為無水乙醇處理,所述無水乙醇處理包括以下步驟:
S31:將經過混酸處理后的硅片置于無水乙醇中進行脫水處理,脫水時間為10-30s;
S32:將硅片用氮氣吹干,并置于烘箱中進行烘干;
S33:對硅片進行檢查;
完成有機溶劑處理的硅片進行外觀抽樣檢查,磷面呈灰白色,無明顯彩色花紋為合格片,不合格硅片進行返工,重復上述酸處理、水清洗、混酸清洗和有機溶劑清洗,在返工過程中,混酸處理的時間增加,以使硅片達到合格,混酸處理時間為30-60s。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于天津環鑫科技發展有限公司,未經天津環鑫科技發展有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711057485.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種硅片激光與酸液結合制絨工藝
 - 下一篇:一種干法打砂清洗工藝
 
- 同類專利
 
- 專利分類
 
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





