[發明專利]具有電源檢測器的雙軌器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201711056997.2
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN108231113B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 林洋緒;鄭基廷
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/417
• 分類號: G11C11/417;G11C5/14
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種雙軌器件，包括：

第一電源域電路，通過第一頭控制開關耦合至第一電源；

第二電源域電路，耦合至第二電源，其中，所述第一電源和所述第二電源具有不同的穩態電壓電平，并且所述第一電源域電路接口連接至所述第二電源域電路；以及

第一電源檢測器電路，用于響應于所述第二電源的電壓電平，為所述第一頭控制開關提供控制信號，以使得所述第一頭控制開關在所述第二電源的斜坡上升期間保持所述第一電源與所述第一電源域電路斷開連接直到所述第二電源的電壓電平達到上升觸發點，并且在所述第二電源的電壓電平達到所述上升觸發點時將所述第一電源連接到所述第一電源域電路，其中所述上升觸發點小于所述第二電源的穩態電壓提供電壓。

2.根據權利要求1所述的雙軌器件，其中，所述第二電源域電路通過第二頭控制開關耦合至所述第二電源。

3.根據權利要求2所述的雙軌器件，還包括第二電源檢測器電路，用于響應于所述第一電源的電壓電平，為所述第二頭控制開關提供第二控制信號。

4.根據權利要求1所述的雙軌器件，其中，所述雙軌器件是靜態隨機存取存儲器(SRAM)。

5.根據權利要求4所述的雙軌器件，其中，所述第一電源域電路和所述第二電源域電路中的一個是SRAM存儲器單元的陣列，并且所述第一電源域電路和所述第二電源域電路中的另一個是外圍邏輯電路。

6.根據權利要求1所述的雙軌器件，其中，所述第一電源檢測器電路用于控制所述第一頭控制開關，以當所述第二電源處于其穩態電壓電平時，將所述第一電源連接至所述第一電源域電路；以及當所述第二電源在斷開狀態和其穩態電壓電平之間轉換時，在部分周期期間斷開所述第一電源與所述第一電源域電路的連接。

7.根據權利要求6所述的雙軌器件，其中，當所述第二電源從所述斷開狀態轉換至其穩態電壓電平時，用于將所述第一電源連接至所述第一電源域電路的上升觸發點不同于當所述第二電源從其穩態電壓電平轉換至所述斷開狀態時的下降觸發點。

8.根據權利要求7所述的雙軌器件，其中，所述上升觸發點高于所述下降觸發點。

9.根據權利要求7所述的雙軌器件，其中，所述下降觸發點高于所述上升觸發點。

10.根據權利要求1所述的雙軌器件，其中，所述第一電源檢測器電路是施密特觸發器電路。

11.根據權利要求10所述的雙軌器件，其中，所述施密特觸發器電路包括反相器，所述反相器耦合在所述第一電源與地節點之間，所述反相器具有耦合至所述第二電源的輸入和用于提供所述控制信號的輸出。

12.根據權利要求11所述的雙軌器件，

其中，所述反相器包括多個NMOS和多個PMOS晶體管的堆，并且所述堆包括多于多個NMOS晶體管的多個PMOS晶體管；

其中，所述施密特觸發器電路還包括具有耦合至所述輸出的柵極端子的其他PMOS晶體管，所述其他PMOS晶體管具有耦合至反相器堆的所述多個PMOS晶體管的第一源極/漏極端子和耦合至其他NMOS晶體管的第一源極/漏極端子的第二源極/漏極端子，所述其他NMOS晶體管具有耦合至所述地節點的第二源極/漏極端子和連接至邏輯高電壓的柵極端子。