[發明專利]高介電、高儲能納米復合材料的制備方法

有效

• 申請號: 201711056990.0
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN107901523B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 孫彬;黃興溢;陳金;朱熒科;王利偉;江平開
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B32B9/04;B32B27/06;B32B27/30;B32B33/00
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

1.一種高介電、高儲能納米復合材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

分別制備靜電紡絲前驅體溶液、涂膜前驅體溶液B和涂膜前驅體溶液C；

將所述靜電紡絲前驅體溶液進行靜電紡絲，得到有序纖維膜A；

將所述涂膜前驅體溶液B進行流延成膜，得到流延膜B，將所述有序纖維膜A平鋪于所述流延膜B的表面，干燥后在有序纖維膜A的上表面進行涂膜前驅體溶液C的流延，形成流延膜C；

將所述流延膜C干燥后，在200℃下進行淬火，得到所述高介電、高儲能納米復合材料,所述高介電、高儲能納米復合材料中的一維納米材料保持原來位置并具有原來的排列；

所述靜電紡絲前驅體溶液的制備方法包括如下步驟：將一維納米材料分散于有機溶劑中，加入成膜劑，使所述成膜劑充分溶解即可；所述涂膜前驅體溶液B和涂膜前驅體溶液C的制備方法與靜電紡絲前驅體溶液制備方法相同；

所述一維納米材料為介電陶瓷材料或導電材料。

2.如權利要求1所述的高介電、高儲能納米復合材料的制備方法，其特征在于，所述成膜劑為聚（偏二氟乙烯-co-六氟乙烯）。

3.如權利要求1所述的高介電、高儲能納米復合材料的制備方法，其特征在于，所述介電陶瓷材料為鈦酸鋇、鈦酸鍶鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛、鈦酸鋯中的至少一種；所述導電材料為碳納米管、二硫化鉬中的至少一種。

4.如權利要求1所述的高介電、高儲能納米復合材料的制備方法，其特征在于，所述成膜劑為聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物或聚偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯共聚物中的至少一種。