[發(fā)明專利]高介電、高儲能納米復(fù)合材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711056990.0 | 申請日: | 2017-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN107901523B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫彬;黃興溢;陳金;朱熒科;王利偉;江平開 | 申請(專利權(quán))人: | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號: | B32B9/00 | 分類號: | B32B9/00;B32B9/04;B32B27/06;B32B27/30;B32B33/00 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭國中 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高介電 高儲能 納米 復(fù)合材料 制備 方法 | ||
1.一種高介電、高儲能納米復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
分別制備靜電紡絲前驅(qū)體溶液、涂膜前驅(qū)體溶液B和涂膜前驅(qū)體溶液C;
將所述靜電紡絲前驅(qū)體溶液進(jìn)行靜電紡絲,得到有序纖維膜A;
將所述涂膜前驅(qū)體溶液B進(jìn)行流延成膜,得到流延膜B,將所述有序纖維膜A平鋪于所述流延膜B的表面,干燥后在有序纖維膜A的上表面進(jìn)行涂膜前驅(qū)體溶液C的流延,形成流延膜C;
將所述流延膜C干燥后,在200℃下進(jìn)行淬火,得到所述高介電、高儲能納米復(fù)合材料,所述高介電、高儲能納米復(fù)合材料中的一維納米材料保持原來位置并具有原來的排列;
所述靜電紡絲前驅(qū)體溶液的制備方法包括如下步驟:將一維納米材料分散于有機(jī)溶劑中,加入成膜劑,使所述成膜劑充分溶解即可;所述涂膜前驅(qū)體溶液B和涂膜前驅(qū)體溶液C的制備方法與靜電紡絲前驅(qū)體溶液制備方法相同;
所述一維納米材料為介電陶瓷材料或?qū)щ姴牧稀?/p>
2.如權(quán)利要求1所述的高介電、高儲能納米復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述成膜劑為聚(偏二氟乙烯-co-六氟乙烯)。
3.如權(quán)利要求1所述的高介電、高儲能納米復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述介電陶瓷材料為鈦酸鋇、鈦酸鍶鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛、鈦酸鋯中的至少一種;所述導(dǎo)電材料為碳納米管、二硫化鉬中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的高介電、高儲能納米復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述成膜劑為聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物或聚偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯共聚物中的至少一種。
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