[發明專利]數據存儲裝置

在審

• 申請號: 201711055987.7
• 申請日: 2010-04-01
• 公開（公告）號: CN107832010A
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 阿爾貝特.T.博爾歇斯;羅伯特.S.斯普林科;安德魯.T.斯溫;賈森.W.克勞斯
• 申請（專利權）人: 谷歌有限責任公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F12/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種數據存儲裝置(100)，其包括：

存儲器板(104a)，所述存儲器板(104a)包括多個NAND存儲器芯片(118a)，所述芯片為單電平單元或多電平單元的存儲器芯片；

控制器板(102)可操作地耦合到所述存儲器板(104a)，其中所述控制器板(102)包括現場可編程門陣列控制器(410)，所述現場可編程門陣列控制器(410)經布置及配置以控制所述多個NAND存儲器芯片(118a)的存儲器操作，并且其中所述控制器板(102)是在物理上獨立于所述存儲器板(104a)的板；

外圍組件互連高速接口(108,408)可操作地耦合到所述控制器板(102)，所述外圍組件互連高速接口(108,408)經布置及配置以在主機(106)和所述現場可編程門陣列控制器(410)之間提供接口使得所述現場可編程門陣列控制器通過所述外圍組件互連高速接口(108,408)與所述主機直接通信；以及

另外的存儲器板(104b)，所述另外的存儲器板(104b)包括多個NAND存儲器芯片(118a)，所述另外的存儲器板(104b)可操作地耦合到所述控制器板(102)，其中所述控制器板(102)和所述另外的存儲器板(104b)在它們自己獨立的印刷電路板上，并且其中所述控制器板(102)被布置在底部，而所述存儲器板(104a)和所述另外的存儲器板(104b)被布置在頂部；

以及其中：

所述控制器板(102)與所述NAND存儲器芯片(118a,118b)經布置及配置以使用多個通道(112)通信，

所述多個通道(112)的每個通道被配置為與一個或多個NAND存儲器芯片(118a,118b)通信，及

所述現場可編程門陣列控制器(410)被配置使得從所述主機(106)接收的命令可以由所述現場可編程門陣列控制器(410)同時使用所述多個通道(112)中的每個來執行。

2.根據權利要求1所述的數據存儲裝置(100)，其中所述外圍組件互連高速接口(108,408)包括外圍組件互連高速X4接口，或其中所述外圍組件互連高速(PCIe)接口包括外圍組件互連高速(PCIe)X8接口。

3.根據權利要求1所述的數據存儲裝置(100)，其中所述控制器(102)經布置及配置以當所述數據存儲裝置(100)加電時自動地確定所述存儲器板(104a)上所述存儲器芯片的類型。

4.一種數據存儲裝置(100)，其包括：

第一板(104a)，所述第一板(104a)包括多個NAND存儲器芯片(118a)；

第二板(102)，其可操作地耦合到所述第一板(104a)，其中所述第二板(102)包括現場可編程門陣列控制器(408)，其經布置及配置以控制所述多個NAND存儲器芯片的存儲器操作，并且所述第二板(102)是在物理上獨立于所述第一板(104a)的板；

外圍組件互連高速接口(108,408)可操作地耦合到所述第二板(102)，其經布置及配置以在主機(106)和所述現場可編程門陣列控制器(408)之間提供接口使得所述現場可編程門陣列控制器通過所述外圍組件互連高速接口(108,408)與所述主機(106)直接通信；以及

另外的第三板，所述另外的第三板是具有多個NAND存儲器芯片(118b)的存儲器板(104b)，所述另外的第三板可操作地耦合到所述第二板(102)，其中所述第二板(102)是它自己的印刷電路板，其中所述第二板(102)位于所述第一板(104a)和所述第三板(104b)之間，所述第一板和所述第三板在它們自己的獨立印刷電路板上；

以及其中：

所述控制器板(102)與所述NAND存儲器芯片(118a,118b)經布置及配置以使用多個通道(112)通信，

所述多個通道(112)的每個通道被配置為與一個或多個NAND存儲器芯片(118a,118b)通信，及

所述現場可編程門陣列控制器(410)被配置使得從所述主機(106)接收的命令可以由所述現場可編程門陣列控制器(410)同時使用所述多個通道(112)中的每個來執行。

5.根據權利要求4所述的數據存儲裝置(100)，其中所述外圍組件互連高速接口(108,408)包括外圍組件互連高速X4接口，或其中所述外圍組件互連高速接口包括外圍組件互連高速X8接口。

6.根據權利要求4或5之一所述的數據存儲裝置(100)，其中所述NAND存儲器芯片是單電平單元或多電平單元的存儲器芯片。