[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711055286.3
• 申請(qǐng)日: 2017-11-01
• 公開（公告）號(hào): CN108022978A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李駿熙;裵寅浚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;宋志強(qiáng)

1.一種薄膜晶體管，包括：

布置在基板上的第一阻擋層；

布置在所述第一阻擋層上的有源圖案，其中所述有源圖案包括源區(qū)、漏區(qū)以及布置在所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間的溝道區(qū)；

布置在所述有源圖案上的柵電極，其中所述溝道區(qū)與所述有源圖案的被所述柵電極重疊的部分對(duì)應(yīng)；以及

連接到所述源區(qū)的源電極和連接到所述漏區(qū)的漏電極，

其中所述有源圖案包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分與所述第一阻擋層部分重疊，并且所述第一部分和所述第二部分具有彼此不同的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述有源圖案的所述第二部分與所述第一阻擋層不重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述有源圖案的所述第一部分的厚度小于所述有源圖案的所述第二部分的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述漏區(qū)與所述第一阻擋層部分重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其中所述有源圖案進(jìn)一步包括布置在所述漏區(qū)和所述溝道區(qū)之間的漏-溝道接觸部分，

其中所述漏-溝道接觸部分與所述第一阻擋層重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其中所述漏-溝道接觸部分被所述第一阻擋層覆蓋，以阻擋入射到所述基板的未布置所述有源圖案的表面上的光。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其中所述漏-溝道接觸部分從所述溝道區(qū)與所述漏區(qū)彼此接觸的位置部分地延伸到所述溝道區(qū)中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其中所述漏-溝道接觸部分具有3.5μm或更大的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，進(jìn)一步包括與所述漏區(qū)和所述溝道區(qū)部分重疊的第二阻擋層，并且

其中所述第一阻擋層與所述源區(qū)和所述溝道區(qū)部分重疊。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述第一阻擋層和所述第二阻擋層被布置在同一層中。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述有源圖案進(jìn)一步包括布置在所述源區(qū)和所述溝道區(qū)之間的源-溝道接觸部分以及布置在所述漏區(qū)和所述溝道區(qū)之間的漏-溝道接觸部分，

其中所述源-溝道接觸部分與所述第一阻擋層重疊，并且所述漏-溝道接觸部分與所述第二阻擋層重疊。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管，其中所述源-溝道接觸部分被所述第一阻擋層覆蓋，以阻擋入射到所述基板的未布置所述有源圖案的表面上的光，并且

其中所述漏-溝道接觸部分被所述第二阻擋層覆蓋，以阻擋入射到所述基板的所述表面上的光。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其中所述源-溝道接觸部分從所述溝道區(qū)與所述源區(qū)彼此接觸的位置部分地延伸到所述溝道區(qū)中，并且

其中所述漏-溝道接觸部分從所述溝道區(qū)與所述漏區(qū)彼此接觸的位置部分地延伸到所述溝道區(qū)中。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其中所述源-溝道接觸部分和所述漏-溝道接觸部分中的每個(gè)具有3.5μm或更大的寬度。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一阻擋層與所述溝道區(qū)、所述源區(qū)和所述漏區(qū)重疊。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一阻擋層包括金屬。