[發(fā)明專利]一種陣列基板、有機發(fā)光顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711055206.4 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN107845648A | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 上海天馬有機發(fā)光顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 有機 發(fā)光 顯示 面板 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種陣列基板、有機發(fā)光顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點之一,與液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,OLED顯示器具有低能耗、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點。目前,在手機、平板電腦、數(shù)碼相機等顯示領(lǐng)域,OLED顯示器已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的LCD顯示器。與LCD利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同,OLED屬于電流驅(qū)動,需要穩(wěn)定的電流來控制其發(fā)光。一般OLED顯示器通過其像素中的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動晶體管來驅(qū)動OLED發(fā)光。
一般像素驅(qū)動電路包括多個晶體管,并通過晶體管之間電連接傳輸信號以驅(qū)動OLED發(fā)光。目前,像素驅(qū)動電路中的晶體管的有源層一般采用多晶硅(polycrystalline silicon)半導(dǎo)體材料制備而成。在實際制備過程中,一般通過對多晶硅半導(dǎo)體材料進行重?fù)诫s后形成的走線使不同晶體管的有源層電連接,以使晶體管之間傳輸信號。然而,重?fù)诫s多晶硅半導(dǎo)體材料形成的走線的電阻較大,使得數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)难舆t較大,從而導(dǎo)致寫入數(shù)據(jù)信號的時間較長,進而使得數(shù)據(jù)信號寫入不完全,影響顯示均一性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種陣列基板、有機發(fā)光顯示面板及顯示裝置,用以降低數(shù)據(jù)信號的輸入延遲問題。
因此,本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板,包括:襯底基板、位于所述襯底基板上的像素驅(qū)動電路、數(shù)據(jù)線、與各所述像素驅(qū)動電路對應(yīng)設(shè)置且相互絕緣的金屬橋接線;
所述像素驅(qū)動電路包括:驅(qū)動晶體管、連接于一條數(shù)據(jù)線與所述驅(qū)動晶體管的源極之間的數(shù)據(jù)晶體管、以及連接于所述驅(qū)動晶體管的柵極與漏極之間的補償晶體管;其中,所述數(shù)據(jù)晶體管與所述驅(qū)動晶體管的源極之間通過對應(yīng)的一條金屬橋接線電連接,所述驅(qū)動晶體管的漏極與所述補償晶體管之間通過對應(yīng)的另一條金屬橋接線電連接。
相應(yīng)地,本發(fā)明實施例還提供了一種有機發(fā)光顯示面板,包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種陣列基板。
相應(yīng)地,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置,包括本發(fā)明實施例提供的上述有機發(fā)光顯示面板。
本發(fā)明有益效果如下:
本發(fā)明實施例提供的陣列基板、有機發(fā)光顯示面板及顯示裝置,通過設(shè)置金屬橋接線,以使數(shù)據(jù)晶體管與驅(qū)動晶體管的源極之間通過一條金屬橋接線電連接,以及使驅(qū)動晶體管的漏極與補償晶體管之間通過另一條金屬橋接線電連接。并且,金屬橋接線的材料為金屬材料,且金屬材料的方塊電阻小于重?fù)诫s半導(dǎo)體材料的方塊電阻,從而可以使數(shù)據(jù)信號輸入驅(qū)動晶體管的柵極的路徑的等效電阻減小,進而可以使數(shù)據(jù)信號的延遲降低,避免數(shù)據(jù)信號寫入不完全。尤其是將陣列基板應(yīng)用于高分辨率顯示面板中時,可以避免數(shù)據(jù)信號寫入不完全,進一步提高顯示均一性。
附圖說明
圖1為相關(guān)技術(shù)中的像素驅(qū)動電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為圖1所示的像素驅(qū)動電路對應(yīng)的電路時序圖;
圖3為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖之一;
圖5為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖之二;
圖6為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖之三;
圖7為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖之四;
圖8為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖之五;
圖9為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖之六;
圖10為本發(fā)明實施例提供的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





