[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201711054927.3
• 申請日: 2017-11-01
• 公開（公告）號: CN108269737B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 呂偉元;楊世海
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04;H01L21/311;H01L21/3213;H01L29/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在下面的結構上方形成層間介電層，所述下面的結構包括：

柵極結構，設置在鰭結構的溝道區域上方；和

第一源極/漏極外延層，設置在所述鰭結構的源極/漏極區域處，其中，在設置于所述鰭結構中的具有U形輪廓的凹槽中和之上形成所述第一源極/漏極外延層；

通過蝕刻所述層間介電層的部分以及所述第一源極/漏極外延層的上部在所述第一源極/漏極外延層上方形成第一開口；

在蝕刻的第一源極/漏極外延層上方形成第二源極/漏極外延層；以及

在所述第二源極/漏極外延層上方形成導電材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述下面的結構還包括蝕刻停止層，以及

在形成所述第一開口中，也蝕刻了所述蝕刻停止層的部分。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括，在形成所述第二源極/漏極外延層之后：

在所述第二源極/漏極外延層上方形成金屬層；以及

通過使所述金屬層與所述第二源極/漏極外延層反應形成硅化物層，

其中，在所述硅化物層上形成所述導電材料。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括，在形成所述金屬層之前，對所述第二源極/漏極外延層實施注入操作。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括，在形成所述第一開口之后，

在所述第一開口中以及所述層間介電層上方形成覆蓋層；以及

圖案化所述覆蓋層，從而在所述覆蓋層中形成第二開口，

其中，在所述第二開口中形成所述第二源極/漏極外延層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一源極/漏極外延層與所述第二源極/漏極外延層具有不同的組成。

7.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述第一源極/漏極外延層和所述第二源極/漏極外延層包含Ge，以及

所述第二源極/漏極外延層中的Ge濃度高于所述第一源極/漏極外延層中的Ge濃度。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一源極/漏極外延層和所述第二源極/漏極外延層的至少一個還包含B。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二源極/漏極外延層包括選自SiP、InP和GaInP組成的組中的一種。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，在垂直于所述鰭結構的延伸方向的截面上，所述第二源極/漏極外延層的寬度大于所述第一源極/漏極外延層的頂面的寬度。

11.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在下面的結構上方形成層間介電層，所述下面的結構包括：

用于第一導電類型的鰭式場效應晶體管(FinFET)的第一柵極結構和第一源極/漏極外延層；和

用于第二導電類型的鰭式場效應晶體管(FinFET)的第二柵極結構和第二源極/漏極外延層；

通過蝕刻所述層間介電層的部分和所述第一源極/漏極外延層的上部在所述第一源極/漏極外延層上方形成第一開口，并且通過蝕刻所述層間介電層的部分和所述第二源極/漏極外延層的上部在所述第二源極/漏極外延層上方形成第二開口；以及

在蝕刻的第一源極/漏極外延層上方形成第三源極/漏極外延層，同時用第一覆蓋層覆蓋所述第二開口。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括：

去除所述第一覆蓋層；以及

在蝕刻的第二源極/漏極外延層上方形成第四源極/漏極外延層，同時用第二覆蓋層覆蓋所述第三源極/漏極外延層。