[發(fā)明專利]一種低成本電磁故障注入實(shí)驗(yàn)平臺(tái)及實(shí)驗(yàn)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711053981.6
• 申請(qǐng)日: 2017-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107643481A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁果;劉強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所12201
• 代理人: 劉子文

1.一種低成本電磁故障注入實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，其特征在于，包括自制電磁脈沖發(fā)生器、固定支架、電磁探頭、XYZ移動(dòng)平臺(tái)、待攻擊設(shè)備和信號(hào)采集設(shè)備；

所述自制電磁脈沖發(fā)生器包括：直流電源、信號(hào)發(fā)生器、Marx發(fā)生器、MOSFET驅(qū)動(dòng)電路和電磁探頭；直流電源分別為Marx發(fā)生器和MOSFET驅(qū)動(dòng)電路供電，信號(hào)發(fā)生器為MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供脈沖信號(hào)，控制MOSFET開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)在電磁探頭上產(chǎn)生脈寬、頻率為設(shè)定值的瞬態(tài)電磁脈沖；

所述固定支架用于固定所述電磁探頭的位置，所述XYZ移動(dòng)平臺(tái)用于放置所述待攻擊設(shè)備和調(diào)節(jié)所述電磁探頭與所述待攻擊設(shè)備之間的位置關(guān)系；所述信號(hào)采集設(shè)備用于記錄所述待攻擊設(shè)備在受到電磁攻擊和未受到電磁攻擊時(shí)的輸出信號(hào)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述低成本電磁故障注入實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的實(shí)驗(yàn)方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：設(shè)置自制電磁脈沖發(fā)生器的參數(shù)，包括脈寬、頻率和電壓幅度；

S2：操作XYZ移動(dòng)平臺(tái)調(diào)節(jié)電磁探頭與待攻擊設(shè)備之間的相對(duì)位置；

S3：通過(guò)自制電磁脈沖發(fā)生器控制電磁探頭上產(chǎn)生脈寬、頻率和電壓幅度為設(shè)定值的電磁脈沖信號(hào)；

S4：通過(guò)所產(chǎn)生的電磁脈沖信號(hào)對(duì)待攻擊設(shè)備的特定位置進(jìn)行電磁故障注入實(shí)驗(yàn)；

S5：通過(guò)信號(hào)采集設(shè)備觀測(cè)和記錄待攻擊設(shè)備在受到和未受到電磁攻擊時(shí)的輸出信號(hào)。