[發(fā)明專利]一種陶瓷后蓋的退火方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711053868.8
• 申請(qǐng)日: 2017-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107698278B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎錦林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖北天寶光電科技有限公司
• 主分類號(hào): C04B41/80
• 分類號(hào): C04B41/80;C04B41/85;H04M1/02
• 代理公司: 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 鄧佳

本發(fā)明公開(kāi)了一種陶瓷后蓋的退火方法，屬于陶瓷后蓋加工領(lǐng)域，包括如下步驟：將陶瓷后蓋放入退火爐中，升溫至600～800℃的中溫區(qū)域，并保溫1～2小時(shí)；經(jīng)過(guò)中溫區(qū)域保溫后，升溫至1000～1200℃的高溫區(qū)域，并在高溫區(qū)域保溫3～4小時(shí)；完成高溫保溫后，降溫至800～900℃，時(shí)間控制在1～2小時(shí)；自然冷卻至室溫，出爐完成退火。本發(fā)明的有益效果是：采用梯度升溫和降溫的工藝，通過(guò)兩次升溫和兩次降溫，陶瓷后蓋在兩個(gè)溫度區(qū)域內(nèi)保持一定的時(shí)間，使陶瓷后蓋內(nèi)部晶粒分階段生長(zhǎng)，晶粒之間的相互作用力充分釋放，晶粒分布更加均勻，晶粒之間的排布結(jié)構(gòu)更加合理，從而有效降低陶瓷后蓋精雕過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力，保證退火處理后的陶瓷后蓋變形量在0.08mm以內(nèi)，滿足了手機(jī)的裝配要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及陶瓷后蓋加工領(lǐng)域，尤其涉及一種陶瓷后蓋的退火方法。

背景技術(shù)

隨著通訊5G時(shí)代，智能手機(jī)將完全摒棄現(xiàn)有的金屬后蓋邊框，而采用不會(huì)對(duì)信號(hào)產(chǎn)生屏蔽陶瓷材料。陶瓷手機(jī)中框作為未來(lái)手機(jī)設(shè)備中不可缺少的零部件，加工效率和品質(zhì)亟待提高。

陶瓷材料經(jīng)過(guò)CNC加工后，會(huì)產(chǎn)生一定加工應(yīng)力，這種應(yīng)力會(huì)在陶瓷表面集聚，影響陶瓷片的翹曲程度，嚴(yán)重的翹曲會(huì)在后道加工過(guò)程產(chǎn)生破片，影響整個(gè)加工循環(huán)的產(chǎn)品質(zhì)量；內(nèi)應(yīng)力集中，也會(huì)導(dǎo)致中心部位變形，使陶瓷殼體與手機(jī)其他部件組裝困難，成品良率低，現(xiàn)階段尚未出現(xiàn)比較有效解決陶瓷殼體翹曲變形的研究。

如公告號(hào)為CN205692182U的實(shí)用新型專利公開(kāi)了一種氧化鋯陶瓷指紋識(shí)別蓋板，包括指紋識(shí)別蓋板本體，所述指紋識(shí)別蓋板的材質(zhì)為氧化鋯陶瓷；所述指紋識(shí)別蓋板的表面具有精研表面層；所述指紋識(shí)別蓋板的翹曲度為2‰～8‰，厚度為0.1～1mm，抗彎強(qiáng)度為800～1200Mpa，介電常數(shù)為9.4～11.58。本專利未介紹其蓋板具體的加工工藝。

再如公開(kāi)號(hào)為CN106625035A的發(fā)明專利申請(qǐng)公開(kāi)了一種手機(jī)后蓋用3D氧化鋯陶瓷的加工方法，其采用的氧化鋯陶瓷，文中也沒(méi)有通過(guò)退火工藝來(lái)達(dá)到減少翹曲度的相關(guān)文字記載。

發(fā)明內(nèi)容

為克服現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)品翹曲嚴(yán)重、內(nèi)應(yīng)力集中，陶瓷殼體與手機(jī)其他部件組裝困難，成品良率低等問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種陶瓷后蓋的退火方法，包括如下步驟：

步驟一：將陶瓷后蓋放入退火爐中，退火爐升溫至溫度在600～800℃的中溫區(qū)域，并在中溫區(qū)域保溫1～2小時(shí)；

步驟二：經(jīng)過(guò)中溫區(qū)域保溫后，升溫至溫度在1000～1200℃的高溫區(qū)域，并在高溫區(qū)域保溫3～4小時(shí)；

步驟三：完成高溫保溫后，降溫至800～900℃，降溫時(shí)間控制在1～2小時(shí)；

步驟四：自然冷卻至室溫，出爐完成退火。

采用梯度升溫和降溫的工藝，通過(guò)兩次升溫和兩次降溫，陶瓷后蓋在兩個(gè)溫度區(qū)域內(nèi)保持一定的時(shí)間，使陶瓷后蓋內(nèi)部晶粒分階段生長(zhǎng)，晶粒之間的相互作用力充分釋放，晶粒分布更加均勻，晶粒之間的排布結(jié)構(gòu)更加合理，從而有效降低陶瓷后蓋精雕過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力，保證退火處理后的陶瓷后蓋變形量在0.08mm以內(nèi)，以滿足手機(jī)裝配要求。

進(jìn)一步，所述步驟一中升溫至中溫區(qū)域的時(shí)間為3～4小時(shí)。

進(jìn)一步，所述步驟二中升溫至高溫區(qū)域的時(shí)間為1～2小時(shí)。

合理控制陶瓷后蓋的兩次升溫時(shí)間，并配合兩次保溫階段，使陶瓷殼體內(nèi)部氧化物雜質(zhì)如堿土金屬氧化物、二氧化硅等在較高溫度逐漸揮發(fā)，高效降低陶瓷殼體內(nèi)氧化物雜質(zhì)的含量，使得陶瓷后蓋內(nèi)部晶粒的分布更加合理均勻，具有更優(yōu)質(zhì)的力學(xué)性能。

進(jìn)一步，所述步驟一中退火爐在升溫之前，所述陶瓷后蓋內(nèi)腔上側(cè)面壓有一塊陶瓷配重塊，所述陶瓷配重塊的壓強(qiáng)為5～10N/cm。