[發(fā)明專利]顯示裝置的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711052105.1 | 申請日: | 2017-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN108573991B | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張俊儀;陳立宜 | 申請(專利權)人: | 美科米尚技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧 |
| 地址: | 薩摩亞阿庇亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置的制造方法,其特征在于,包含:
在陣列基板上形成至少兩個下導電線路;
在所述至少兩個下導電線路上設置至少四個微型發(fā)光元件分別;
形成至少一個填充材料以覆蓋所述至少四個微型發(fā)光元件;
通過光微影工藝在所述填充材料中形成至少四個開口,使得所述至少四個微型發(fā)光元件分別暴露于所述填充材料的所述至少四個開口內;以及
在所述填充材料上形成至少兩個上導電線路,其中所述至少兩個上導電線路通過所述填充材料的所述至少四個開口而電性連接于所述至少四個微型發(fā)光元件,所述至少兩個上導電線路以及所述至少兩個下導電線路相交于所述至少四個微型發(fā)光元件,且所述至少兩個下導電線路中的一個在所述陣列基板上的正投影與所述至少兩個上導電線路中的每一個在所述陣列基板上的正投影重疊。
2.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述在所述填充材料中形成所述至少四個開口包含:
至少通過所述陣列基板對所述填充材料照射至少一個電磁波,以將所述至少四個開口圖案化于所述填充材料中。
3.如權利要求2所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,還包含:
在所述至少四個微型發(fā)光元件中的一個與所述至少兩個下導電線路中對應的一個之間形成至少一個導電層,且所述導電層的材質為能夠反射所述電磁波的材料。
4.如權利要求2所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述照射所述電磁波包含:
沿著垂直于所述至少四個微型發(fā)光元件中的所述一個背離所述陣列基板的表面方向照射所述電磁波。
5.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述填充材料的材質為光反應材料。
6.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述填充材料的材質為折射指數介于1.5與2.5之間的材料。
7.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述在所述填充材料中形成所述至少四個開口包含:
移除所述填充材料遠離所述陣列基板的部位,以形成連接于所述至少四個開口的表面,所述表面的斜率朝接近所述至少四個開口的方向逐漸增加。
8.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,還包含:
在所述至少四個微型發(fā)光元件中的一個與所述至少兩個下導電線路中對應的一個之間形成至少一個導電層。
9.如權利要求8所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述導電層的穿透率小于所述填充材料的穿透率。
10.如權利要求8所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述在所述填充材料中形成所述至少四個開口包含:
至少通過所述陣列基板以及所述導電層而對所述填充材料照射至少一個電磁波;以及
對所述填充材料進行顯影工藝,以將所述至少四個開口圖案化于所述填充材料中。
11.如權利要求8所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述形成所述至少一個導電層包含形成至少一個反射層。
12.如權利要求8所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述形成所述至少一個導電層包含形成至少一個導電粘合層以及至少一個接合層。
13.如權利要求12所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述導電粘合層以及所述接合層中的至少一個具有不透明部位。
14.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述在陣列基板上形成所述至少兩個上導電線路包含:
在覆蓋基板上形成所述至少兩個上導電線路;以及
在所述填充材料上設置所述覆蓋基板,并通過所述至少四個開口將所述至少兩個上導電線路電性連接于所述至少四個微型發(fā)光元件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





