[發(fā)明專利]抗彎曲單模光纖及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711050831.X
• 申請(qǐng)日: 2017-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN107632338B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 勞雪剛;翟云霄;和聯(lián)科;曹興輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇亨通光導(dǎo)新材料有限公司;江蘇亨通光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/036
• 分類號(hào): G02B6/036;G02B6/02;C03B37/012;C03B37/018;C03B37/02
• 代理公司: 北京市卓華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11299
• 代理人: 陳子英

1.一種抗彎曲單模光纖，包括芯層和包層，其特征在于所述包層由由內(nèi)向外依次分布的內(nèi)包層、下陷包層和外包層組成，所述芯層采用摻鍺石英玻璃或者鍺氟共摻石英玻璃，所述內(nèi)包層采用摻氟石英玻璃，所述下陷包層采用摻氟石英玻璃，所述芯層的相對(duì)折射率差與所述內(nèi)包層的相對(duì)折射率差的差值為0.5％至0.7％，與所述下陷包層的相對(duì)折射率差的差值為0.7％至1.1％，所述內(nèi)包層的半徑R2與所述芯層的半徑R1的比值R2/R1為2至5，所述下陷包層的半徑R3與所述芯層的半徑R1的比值R3/R1為2至4，所述芯層的半徑R1為2.0~3.5μm，所述內(nèi)包層的半徑R2為6~12μm，所述下陷包層的半徑R3為10~20μm，所述芯層的相對(duì)折射率差△1為0.4％至0.6％，所述內(nèi)包層的相對(duì)折射率差Δ2為0％至-0.1％，所述下陷包層的相對(duì)折射率差Δ3為-0.3%至-0.5％，所述芯層中，摻雜鍺對(duì)相對(duì)折射率的貢獻(xiàn)量ΔGe為0.4％至0.65％，摻雜氟對(duì)相對(duì)折射率的貢獻(xiàn)量ΔF為0至-0.1％，依此確定和控制鍺的摻雜量和氟的摻雜量，將用于形成芯層和內(nèi)包層的芯棒、用于形成下陷包層的摻氟石英管和用于形成外包層的高純石英管相互套接在一起，組裝成用于制備光纖的光棒，不進(jìn)行芯管和套管的熔縮，直接進(jìn)行高溫拉絲，制備出所需的光纖。

2.如權(quán)利要求1中所述的光纖，其特征在于其在1310 nm波長(zhǎng)處的衰減系數(shù)小于或等于0.35 dB/km，在1310 nm波長(zhǎng)處的模場(chǎng)直徑為5至6.5μm，在1550 nm波長(zhǎng)處的衰減系數(shù)小于或等于0.25 dB/km，在1550 nm波長(zhǎng)處的模場(chǎng)直徑為6.2 至7.7μm。

3.如權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于其在1550 nm波長(zhǎng)處，圍繞3 mm彎曲半徑饒一圈彎曲時(shí)，附加損耗小于或等于0.1 dB，圍繞5 mm彎曲半徑饒一圈彎曲時(shí)，附加損耗小于或等于0.05d B，圍繞7.5 mm彎曲半徑饒一圈彎曲時(shí)，附加損耗小于或等于0.01dB，圍繞10mm彎曲半徑饒一圈彎曲時(shí)，附加損耗小于或等于0.005 dB，圍繞15 mm彎曲半徑饒十圈彎曲時(shí)，附加損耗小于或等于0.002 dB；在1625 nm波長(zhǎng)處，圍繞3 mm彎曲半徑饒一圈彎曲時(shí)，附加損耗小于或等于0.2 dB，圍繞5 mm彎曲半徑饒一圈彎曲時(shí)，附加損耗小于或等于0.1 dB，圍繞7.5 mm彎曲半徑饒一圈彎曲時(shí)，附加損耗小于或等于0.02 dB，圍繞10 mm彎曲半徑饒一圈彎曲時(shí)，附加損耗小于或等于0.005 dB，圍繞15 mm彎曲半徑饒十圈彎曲時(shí)，附加損耗小于或等于0.005 dB。

4.一種抗彎曲單模光纖的制備方法，包括下列步驟：

采用軸向氣相沉積法，根據(jù)光芯層和內(nèi)包層的材料和構(gòu)造要求，將用于制備芯層和內(nèi)包層的粉末沉積靶棒上，形成粉棒，對(duì)粉棒進(jìn)行燒結(jié)，制備出用于形成芯層和內(nèi)包層的芯棒；

依據(jù)下陷包層和外包層的材料要求，并依據(jù)芯層、內(nèi)包層、下陷包層和外包層的構(gòu)造要求，將用于形成芯層和內(nèi)包層的芯棒、用于形成下陷包層的摻氟石英管和用于形成外包層的高純石英管相互套接在一起，組裝成用于制備光纖的光棒，不進(jìn)行芯管和套管的熔縮；

對(duì)光棒進(jìn)行高溫拉絲，制備出的光纖即為抗彎曲單模光纖，

所述抗彎曲單模光纖為權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的抗彎曲單模光纖。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于通過拉絲的涂覆工藝增加光纖產(chǎn)品的楊氏模量值。