[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示面板在審
| 申請號: | 201711050660.0 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN109728030A | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發明(設計)人: | 許名宏 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 儲槽 顯示基板 像素界定層 襯底 顯示面板 制備 子像素區域 儲存材料 存儲材料 潤濕能力 像素區域 平坦度 良率 圍設 | ||
一種顯示基板及其制備方法、顯示面板。該顯示基板包括襯底以及設置于所述襯底上的像素界定層,所述像素界定層包括多個子像素區域,且在每個所述子像素區域中設置有至少一個由所述像素界定層圍設而成的儲槽,其中,在相對于所述襯底的同一高度處,在所述儲槽的長度方向上,所述儲槽的端部與所述儲槽的兩個端部之間的部分對待存儲材料的潤濕能力不同。上述儲槽可以提升待儲存材料的平坦度,提高顯示基板的良率。
技術領域
本公開至少一個實施例涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有自發光、廣視角、高對比度、低耗電、反應速度高等優點,所以OLED顯示產品越來越受到用戶的青睞。
在實際工藝中,在制備OLED中的用于發光的結構層時,需要設置儲槽來儲存包括相應材料的墨水,然后對墨水進行干燥以得到相應的結構層。但是,對于當前的儲槽結構,在對墨水的干燥過程中,形成的結構層的平坦度較差,會影響有機發光器件的性能,并且導致OLED產品的顯示不良。
發明內容
本公開至少一個實施例提供一種顯示基板,包括襯底;像素界定層,設置于所述襯底上,所述像素界定層包括多個子像素區域,且在每個所述子像素區域中設置有至少一個由所述像素界定層圍設而成的儲槽,其中,在相對于所述襯底的同一高度處,在所述儲槽的長度方向上,所述儲槽的端部與所述儲槽的兩個所述端部之間的部分對待存儲材料的潤濕能力不同。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,在所述儲槽的長度方向上,在相對于所述襯底的同一高度處,所述儲槽的所述端部的對待存儲材料的潤濕能力大于在所述儲槽的兩個所述端部之間的部分的對待存儲材料的潤濕能力。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,在所述儲槽的長度方向上,從所述儲槽的所述端部至所述儲槽的位于兩個所述端部之間的中心的方向上,在相對于所述襯底的同一高度處,所述潤濕能力逐漸減小。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,在所述儲槽的長度方向上,所述儲槽的端部的高度大于所述儲槽的位于兩個所述端部之間的部分的高度。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,在所述儲槽的長度方向上,從所述儲槽的所述端部至所述儲槽的位于兩個所述端部之間的中心的方向上,所述儲槽的高度逐漸減小。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,所述儲槽的平面形狀為矩形,所述儲槽包括兩個相對長邊側壁以及兩個相對的短邊側壁,所述儲槽的在所述長度方向上的所述端部包括所述短邊側壁;或者包括所述短邊側壁以及所述長邊側壁與所述短邊側壁相接的部分。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,在相對于所述襯底的同一高度處,所述短邊側壁的兩端對待存儲材料的潤濕能力小于所述短邊側壁的位于兩端之間的部分對待存儲材料的潤濕能力。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,從所述短邊側壁的兩端至短邊側壁的位于兩端之間的部分的方向上,所述儲槽的高度逐漸增加。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,所述長邊側壁的側表面的坡度角大于所述短邊側壁的側表面的坡度角。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,所述儲槽的平面形狀為橢圓形,所述橢圓形包括兩個彼此相接且相對的長邊側壁,所述儲槽的在所述長度方向上的所述端部包括所述兩個長邊側壁的位于所述長度方向上的端部。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,在所述儲槽的長度方向上,在相對于所述襯底的同一高度處,所述儲槽的所述端部的對待存儲材料的潤濕能力小于在所述儲槽的兩個所述端部之間的部分的對待存儲材料的潤濕能力。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





