[發明專利]基板濕式處理裝置在審
| 申請號: | 201711049350.7 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN108074838A | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 馮傳彰;吳庭宇;蔡文平;劉茂林;李威震 | 申請(專利權)人: | 辛耘企業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉雙;李巖 |
| 地址: | 中國臺灣臺北市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴洗 處理槽 容置部 第一基板 浸泡槽 基板 浸泡 濕式處理裝置 第二基板 多片式 片式 載具 時序 多個基板 濕式處理 鄰設 排程 移出 | ||
本發明公開一種基板濕式處理裝置,其包括一浸泡槽、一噴洗處理槽、一輸送載具以及一控制單元。控制單元控制多個基板的濕式處理。浸泡槽包括一多片式容置部,控制單元分別控制每一基板于多片式容置部的浸泡處理時序。噴洗處理槽鄰設于浸泡槽。控制單元控制輸送載具移送一第一基板至多片式容置部;經過一間隔時間,移送一第二基板至多片式容置部;第一基板經過一浸泡處理時間,移送至噴洗處理槽;經過一噴洗處理時間后,移出第一基板;及第二基板經過該浸泡處理時間,移送至噴洗處理槽。控制單元依據噴洗處理時間排程間隔時間。
技術領域
本發明系關于一種基板濕式處理裝置。
背景技術
在半導體工藝中,需先對基板(如晶圓)進行多道清潔程序,以移除基板表面的雜質。抑或是,以微影蝕刻于基板(如晶圓)形成圖案后,也必須藉由多道清潔程序以去除光阻(Photo Resistor,PR)或金屬膜(Metal Film)。一般而言,系先將基板浸泡于化學液,再以噴洗的方式清洗基板,最后再以旋轉的方式干燥基板,且每個步驟系使用單晶圓水平式處理單元。因此,每一片基板需等待浸泡完后,才能接著進行清洗、干燥等后續步驟。由于每個步驟的處理時間不同,如浸泡的時間較長,進而使基板處理設備的使用效率不佳。
為了改善前述情況,市面上出現一種具有批次式浸泡槽的基板處理設備,一次性將多個片基板置于浸泡槽內,以批次式進行浸泡程序。藉由批次式浸泡槽的設計,以提高基板處理設備使用效率。然而如后續程序仍是使用單晶圓水平式處理單元進行,故仍必須自批次式浸泡槽內依序取出基板(1片/次)進行清洗、干燥等步驟。因此,批次式浸泡槽的設計反而會造成必須維持同一工藝條件的每一片基板的浸泡時間卻不同(例如一基板較快被取出,則浸泡時間較短;反之,另一基板浸泡時間則較長),浸泡后的效果亦有所差異。然,后續仍以同樣條件進行清洗、干燥,將使每片基板的清洗程度不同,反而會降低良率,實有改良的必要。
發明內容
有鑒于上述課題,本發明的主要目的系在提供一種基板濕式處理裝置,基板濕式處理裝置包括具有多片式容置部的浸泡槽,且控制單元控制多個基板的濕式處理,并藉由輸送載具分別控制每一基板于多片式容置部的浸泡處理時序(如第一基板及第二基板),控制單元并依據噴洗處理槽所需噴洗處理時間排程浸泡處理時序,以解決現有基板處理裝置的基板濕式處理的問題。
為達成上述的目的,本發明提供一種基板濕式處理裝置,其包括一浸泡槽、一噴洗處理槽、一輸送載具以及一控制單元。控制單元控制多個基板的濕式處理。浸泡槽包括一多片式容置部,其中控制單元分別控制每一基板于多片式容置部的浸泡處理時序。噴洗處理槽鄰設于浸泡槽,并具有至少一單片式噴洗單元。輸送載具于浸泡槽及噴洗處理槽之間移送每一基板。控制單元控制輸送載具移送該些基板中的一第一基板至浸泡槽的多片式容置部,經過一間隔時間,移送該些基板中的一第二基板至浸泡槽的多片式容置部,第一基板經過一浸泡處理時間,自浸泡槽移送至噴洗處理槽的單片式噴洗單元進行噴洗處理,經過一噴洗處理時間,自單片式噴洗單元移出第一基板,及第二基板經過該浸泡處理時間,自浸泡槽接續移送至噴洗處理槽的單片式噴洗單元進行噴洗處理,其中控制單元依據噴洗處理時間排程間隔時間。
根據本發明之一實施例,基板濕式處理裝置更包括一清洗干燥單元,其鄰設于單片式噴洗單元,其中輸送載具自單片式噴洗單元移送每一該些基板至清洗干燥單元。
根據本發明之一實施例,清洗干燥單元設置于噴洗處理槽內,對每一該些基板先進行噴洗處理及接續進行清洗干燥。
根據本發明之一實施例,清洗干燥單元包括一清洗液供應單元及一揮發性溶液供應單元,清洗干燥單元對基板施予一清洗液及一揮發性溶液。
根據本發明之一實施例,該多片式容置部為一水平多片式容置部。
根據本發明之一實施例,多片式容置部為一垂直多片式容置部。
根據本發明之一實施例,單片式噴洗單元為一垂直單片式噴洗單元。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





