[發(fā)明專利]異形顯示屏和集成異形顯示屏的顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711048781.1 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN107784939A | 公開(公告)日: | 2018-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張金方;張露;韓珍珍;胡思明 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | G09F9/30 | 分類號: | G09F9/30 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224 | 代理人: | 唐清凱 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 異形 顯示屏 集成 顯示裝置 | ||
1.一種異形顯示屏,其特征在于,所述異形顯示屏具有輪廓線以界定有效顯示區(qū)的范圍;
所述有效顯示區(qū)包括鄰近所述輪廓線的邊緣顯示區(qū)和與所述邊緣顯示區(qū)鄰接的主顯示區(qū);
所述異形顯示屏包括:
若干重復(fù)排列的像素單元分布于所述主顯示區(qū)和所述邊緣顯示區(qū);
所述主顯示區(qū)由第一類驅(qū)動薄膜晶體管驅(qū)動;
所述邊緣顯示區(qū)由第二類驅(qū)動薄膜晶體管驅(qū)動;
在相同的電學(xué)環(huán)境下,所述主顯示區(qū)的驅(qū)動電流大于所述邊緣顯示區(qū)的驅(qū)動電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異形顯示屏,其特征在于,所述邊緣顯示區(qū)的所述像素單元是滿足如下限定條件的像素單元:
所述像素單元的中心與所述輪廓線的法向距離不超過預(yù)設(shè)第一距離閾值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異形顯示屏,其特征在于,所述驅(qū)動電流與像素驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層間電容正相關(guān);
所述第二類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層間電容小于所述第一類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層間電容。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異形顯示屏,其特征在于,所述第二類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層間電容與所述第一類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層間電容的比值在0.1-0.9范圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的異形顯示屏,其特征在于,所述第二類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層的正對面積為所述第一類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層的正對面積的0.1-0.9倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異形顯示屏,其特征在于,所述第一類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層的正對面積在50平方微米至300平方微米之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的異形顯示屏,其特征在于,所述第二類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層間的間距為所述第一類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層間的間距的1.1-10倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的異形顯示屏,其特征在于,所述第一類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層間間距在800埃至1500埃之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的異形顯示屏,其特征在于,所述第二類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層間的介電質(zhì)的介電常數(shù)為第一類驅(qū)動薄膜晶體管的柵源層間的介電質(zhì)的介電常數(shù)的0.1-0.9倍。
10.一種集成異形顯示屏的顯示裝置,其特征在于,所述異形顯示屏具有輪廓線以界定有效顯示區(qū);
所述有效顯示區(qū)包括鄰近所述輪廓線的邊緣顯示區(qū)和與所述邊緣顯示區(qū)包圍的主顯示區(qū);
所述異形顯示屏包括:
分布于所述主顯示區(qū)和所述邊緣顯示區(qū)的若干重復(fù)排列的像素單元;
所述主顯示區(qū)由第一類驅(qū)動薄膜晶體管驅(qū)動;
所述邊緣顯示區(qū)由第二類驅(qū)動薄膜晶體管驅(qū)動;
在相同的電學(xué)環(huán)境下,所述主顯示區(qū)的驅(qū)動電流大于所述邊緣顯示區(qū)的驅(qū)動電流。
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