[發(fā)明專利]一種用于LED外延晶圓制程的SiC承載盤制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711048486.6 | 申請日： | 2017-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN107954719A | 公開（公告）日： | 2018-04-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳健;徐常明 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州納樸材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/565 | 分類號： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215513 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 led 外延 晶圓制程 sic 承載 制備 方法 | ||
1.一種用于LED外延晶圓制程的SiC承載盤制備方法，包括以下步驟：
（1）以SiC粉體、B4C粉體、碳黑和酚醛樹脂為原料制備成混合粉體；其中的SiC粉體中的氧含量小于等于SiC粉體重量的1.5%，SiC粉體中的鐵含量小于等于SiC粉體重量的0.02%；在混合粉體中，B4C粉體的重量小于等于混合粉體總重量的 0.5%、碳黑的重量小于等于混合粉體總重量的2%、酚醛樹脂的重量占混合粉體總重量的1-5%；
（2）將步驟（1）制備好的混合粉體中加水配成固含量為40-45%（重量百分比）的漿料，進(jìn)行球磨混合；
（3）將步驟（2）球磨混合后的漿料烘干，再 研磨粉碎后過篩，將得到的粉體干壓成型和等靜壓成型；
（4）根據(jù)晶圓承載盤的設(shè)計(jì)，以及陶瓷燒結(jié)特性，通過數(shù)控和機(jī)械加工的方法獲得需要的形狀和尺寸的半成品；
（5）將步驟（4）制備出的半成品真空脫粘后，在常壓惰性氣氛條件下燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1900-2300℃，保溫時間為1-2小時，并在惰性氣氛條件下自然冷卻，即制備成用于LED外延晶圓制程的SiC承載盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于LED外延晶圓制程的SiC承載盤制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中SiC粉體的粒徑為0.1-1微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于LED外延晶圓制程的SiC承載盤制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中B4C粉體和碳黑的含量可以同時為0。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于LED外延晶圓制程的SiC承載盤制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中碳黑和酚醛樹脂裂解碳量總量小于等于混合粉體總重量的2%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于LED外延晶圓制程的SiC承載盤制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中球磨混合以SiC球作為研磨球。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于LED外延晶圓制程的SiC承載盤制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中干壓成型的壓力為15-100兆帕。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于LED外延晶圓制程的SiC承載盤制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中等靜壓的壓力為150-210兆帕。
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